全体要約
ガリウムヒ素（GaAs）高周波（RF）半導体市場は、2023年の21億4595万9100ドルから2031年には37億7723万2200ドルに達すると予測されています。この成長率は2024年から2031年の間に年平均成長率（CAGR）7.1%となります。市場は、パワーアンプ、低雑音アンプ、フィルター、デュプレクサー、RFミキサー、スイッチなどのデバイス、そして動作電圧やウエハサイズを含むさまざまな要因によって構成されています。
主要な市場プレイヤーには、WINセミコンダクター、NXPセミコンダクター、Qorvo、MACOM、Broadcomなどが含まれます。スマートフォンの高い普及率が市場の推進要因となっていますが、高い生産コストが市場拡張の制約となっています。また、GaAs技術の進展が新たな機会として期待されています。
主要な市場プレイヤーには、WINセミコンダクター、NXPセミコンダクター、Qorvo、MACOM、Broadcomなどが含まれます。スマートフォンの高い普及率が市場の推進要因となっていますが、高い生産コストが市場拡張の制約となっています。また、GaAs技術の進展が新たな機会として期待されています。
関連する質問
3,707,723.02千ドル（2031年）
7.1%（2024年から2031年）
WIN Semiconductors, NXP Semiconductors, Qorvo, Inc, MACOM, Broadcom, Murata Manufacturing Co., Ltd., Sumitomo Electric Industries, Ltd., Keysight Technologies, DOWA Electronics Materials Co., Ltd., United Monolithic Semiconductors (UMS), Freiberger Compound Materials GmbH, Xiamen Powerway Advanced Material Co., Ltd., Mitsubishi Electric Corporation, Texas Instruments Incorporated, Coherent Corp, Advanced Wireless Semiconductor Company, Vital Materials Co., Limited, Skyworks Solutions, Inc., Analog Devices, Inc., Microchip Technology Inc., Semiconductor Components Industries, LLC, IQE PLC, Infineon Technologies AG
スマートフォンの普及率の向上, GaAs技術の進展, 高周波半導体の需要増加
概要
世界のガリウムひ素（GaAs）無線周波数（RF）半導体市場は、2023年の21,459,591.0千ドルから2031年には3,707,723.02千ドルに達する見込みであり、2024年から2031年の予測期間中に7.1%のCAGRで成長することが期待されています。
グローバルガリウムヒ素（GaAs）無線周波数（RF）半導体市場、デバイス別（パワーアンプ、低ノイズアンプ、フィルターとデュプレクサ、RFミキサー、スイッチ、およびその他）、周波数（超高周波（UHF）および非常に高周波（VHF））、動作電圧（最大5 V、5.1〜20 V、および20 V以上）、ウェーハサイズ（4インチ、6インチ、3インチ、2インチ、およびその他）、最終用途（通信、消費者デバイス、航空宇宙、防衛および衛星通信、自動車、コミュニティアンテナテレビ（CATV）および有線ブロードバンド、およびその他）、国（ドイツ、フランス、U.K.、イタリア、トルコ、スペイン、オランダ、ロシア、ベルギー、スイス、その他のヨーロッパ、アメリカ合衆国、カナダ、メキシコ、中国、日本、韓国、インド、オーストラリア、シンガポール、マレーシア、タイ、フィリピン、インドネシア、その他のアジア太平洋地域、サウジアラビア、U.A.E.、南アフリカ、イスラエル、エジプト、中東およびアフリカのその他、ブラジル、アルゼンチン、および南アメリカのその他） - 業界動向と2031年までの予測
グローバルガリウムヒ素（GaAs）無線周波数（RF）半導体市場の動向概要
ドライバー
世界中でのスマートフォンの高い普及率
抑制
高い生産コストが市場の拡大を制限する
機会
• ガリウムヒ素技術の進展
市場のプレーヤー
グローバルなガリウムヒ素（GaAs）高周波（RF）半導体市場で活動している主要なプレーヤーの一部は次のとおりです：
• WIN半導体
・NXPセミコンダクターズ
• コルボ株式会社
・マコム
ブロードコム
・村田製作所
住友電気工業株式会社
• キーサイトテクノロジーズ
・株式会社 DOWA エレクトロニクス材料（株式会社 DOWA ホールディングスの子会社）
ユナイテッド・モノリシック・セミコンダクターズ (UMS)
フライバーガーコンパウンドマテリアルズ社
厦門パワーウェイ先進材料株式会社
三菱電機株式会社
• テキサス・インスツルメンツ社
・コヒーレント社
高度無線半導体会社
バイタルマテリアルズ株式会社
スカイワークス・ソリューションズ社
アナログ・デバイセズ社
マイクロチップテクノロジー株式会社
セミコンダクターコンポーネンツインダストリーズ, LLC
・IQE PLC
・インフィニオンテクノロジーズAG
※以下の目次にて、具体的なレポートの構成をご覧頂けます。ご購入、無料サンプルご請求、その他お問い合わせは、ページ上のボタンよりお進みください。
グローバルガリウムヒ素（GaAs）無線周波数（RF）半導体市場、デバイス別（パワーアンプ、低ノイズアンプ、フィルターとデュプレクサ、RFミキサー、スイッチ、およびその他）、周波数（超高周波（UHF）および非常に高周波（VHF））、動作電圧（最大5 V、5.1〜20 V、および20 V以上）、ウェーハサイズ（4インチ、6インチ、3インチ、2インチ、およびその他）、最終用途（通信、消費者デバイス、航空宇宙、防衛および衛星通信、自動車、コミュニティアンテナテレビ（CATV）および有線ブロードバンド、およびその他）、国（ドイツ、フランス、U.K.、イタリア、トルコ、スペイン、オランダ、ロシア、ベルギー、スイス、その他のヨーロッパ、アメリカ合衆国、カナダ、メキシコ、中国、日本、韓国、インド、オーストラリア、シンガポール、マレーシア、タイ、フィリピン、インドネシア、その他のアジア太平洋地域、サウジアラビア、U.A.E.、南アフリカ、イスラエル、エジプト、中東およびアフリカのその他、ブラジル、アルゼンチン、および南アメリカのその他） - 業界動向と2031年までの予測
グローバルガリウムヒ素（GaAs）無線周波数（RF）半導体市場の動向概要
ドライバー
世界中でのスマートフォンの高い普及率
抑制
高い生産コストが市場の拡大を制限する
機会
• ガリウムヒ素技術の進展
市場のプレーヤー
グローバルなガリウムヒ素（GaAs）高周波（RF）半導体市場で活動している主要なプレーヤーの一部は次のとおりです：
• WIN半導体
・NXPセミコンダクターズ
• コルボ株式会社
・マコム
ブロードコム
・村田製作所
住友電気工業株式会社
• キーサイトテクノロジーズ
・株式会社 DOWA エレクトロニクス材料（株式会社 DOWA ホールディングスの子会社）
ユナイテッド・モノリシック・セミコンダクターズ (UMS)
フライバーガーコンパウンドマテリアルズ社
厦門パワーウェイ先進材料株式会社
三菱電機株式会社
• テキサス・インスツルメンツ社
・コヒーレント社
高度無線半導体会社
バイタルマテリアルズ株式会社
スカイワークス・ソリューションズ社
アナログ・デバイセズ社
マイクロチップテクノロジー株式会社
セミコンダクターコンポーネンツインダストリーズ, LLC
・IQE PLC
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目次
1 イントロダクション 46
1.1 調査の目的 46
1.2 市場の定義 46
1.3 グローバルのガリウムヒ素（GaAs）高周波（RF）半導体市場の概要 46
1.4 通貨・価格 48
1.5 制約 48
1.6 対象市場 49
2 市場セグメンテーション 52
2.1 対象市場 52
2.2 調査対象年 53
2.3 地理的範囲 54
2.4 DBMR トライポッド・データ・バリデーションモデル 55
2.5 主要オピニオンリーダーへの一次インタビュー 58
2.6 DBMR マーケットポジション・グリッド 59
2.7 ベンダーのシェア分析 60
2.8 市場エンドユーザーカバレッジ・グリッド 61
2.9 多変量解析モデリング 62
2.10 デバイス曲線 63
2.11 二次情報 64
2.12 前提 64
3 エグゼクティブサマリー 65
4 更なる考察 67
4.1 ペスタル分析 68
4.2 ポーターのファイブフォース分析 69
4.3 バリューチェーン分析 70
4.4 技術分析 71
4.5 ケーススタディ 74
4.6 経済減速の影響 77
4.7 規制フレームワーク 78
4.8 テクニカル・ルート分析 79
5 市場概要 81
5.1 促進要因 83
5.2 抑制要因 90
5.2.1 ガリウムヒ素の高い生産コスト 90
5.2.2 限られたGaAs材料の互換性と入手性 90
5.3 市場機会 92
5.3.1 GaAs技術の進歩 92
5.3.2 増加するコンシューマーエレクトロニクスの需要 93
5.3.3 半導体メーカー間の協力とパートナーシップ 93
5.4 課題 95
5.4.1 Gaasベースの製品開発サイクルの長期化 95
5.4.2 限られたGaAs基板サイズ 95
6 グローバルのガリウムヒ素（GaAs）高周波（RF）半導体市場、デバイス別 97
6.1 概要 98
6.2 パワーアンプ 99
6.3 低雑音増幅器 100
6.4 フィルターとデュプレクサー 100
6.5 RFミキサー 101
6.6 スイッチ 101
6.7 その他 102
7 グローバルのガリウムヒ素（GaAs）高周波（RF）半導体市場、フリークエンシー別 103
7.1 概要 104
7.2 超高周波（UHF） 105
7.3 ブイエッチエフ 105
8 ガリウムヒ素（GaAs）高周波（RF）半導体の世界市場：動作電圧別 106
8.1 概要 107
8.2 最大5 V 108
8.3 5.1～20 V 109
8.4 20V以上 109
9 グローバルのガリウムヒ素（GaAs）高周波（RF）半導体市場、ウェハーサイズ別 110
9.1 概要 111
9.2 4インチ 112
9.3 6インチ 113
9.4 3インチ 113
9.5 2インチ 114
9.6 その他 114
10 グローバルのガリウムヒ素（GaAs）高周波（RF）半導体市場、最終用途別 115
10.1 概要 116
10.2 通信 117
10.2.1 通信、デバイス別 118
- 10.2.1.1 パワーアンプ 118
- 10.2.1.2 低雑音増幅器 118
- 10.2.1.3 フィルターとデュプレクサー 118
- 10.2.1.4 RFミキサー 118
- 10.2.1.5 スイッチ 118
- 10.2.1.6 その他 118
10.3 消費者デバイス 119
10.3.1 消費者デバイス、デバイス別 119
- 10.3.1.1 パワーアンプ 119
- 10.3.1.2 低雑音増幅器 119
- 10.3.1.3 フィルターとデュプレクサー 120
- 10.3.1.4 RFミキサー 120
- 10.3.1.5 スイッチ 120
- 10.3.1.6 その他 120
10.4 航空宇宙 120
10.4.1 航空宇宙、デバイス別 121
- 10.4.1.1 パワーアンプ 121
- 10.4.1.2 低雑音増幅器 121
- 10.4.1.3 フィルターとデュプレクサー 121
- 10.4.1.4 RFミキサー 121
- 10.4.1.5 スイッチ 121
- 10.4.1.6 その他 121
10.5 防衛と衛星通信 122
10.5.1 防衛と衛星通信、デバイス別 122
- 10.5.1.1 パワーアンプ 122
- 10.5.1.2 低雑音増幅器 122
- 10.5.1.3 フィルターとデュプレクサー 123
- 10.5.1.4 RFミキサー 123
- 10.5.1.5 スイッチ 123
- 10.5.1.6 その他 123
10.6 自動車 123
10.6.1 自動車、デバイス別 124
- 10.6.1.1 パワーアンプ 124
- 10.6.1.2 低雑音増幅器 124
- 10.6.1.3 フィルターとデュプレクサー 124
- 10.6.1.4 RFミキサー 124
- 10.6.1.5 スイッチ 124
- 10.6.1.6 その他 124
10.7 地域アンテナテレビ（catv）と有線ブロードバンド 125
10.7.1 地域アンテナテレビ（catv）と有線ブロードバンド：デバイス別 125
- 10.7.1.1 パワーアンプ 126
- 10.7.1.2 低雑音増幅器 126
- 10.7.1.3 フィルターとデュプレクサー 126
- 10.7.1.4 RFミキサー 126
- 10.7.1.5 スイッチ 126
- 10.7.1.6 その他 126
10.8 その他 127
10.8.1 その他、デバイス別 127
- 10.8.1.1 パワーアンプ 127
- 10.8.1.2 低雑音増幅器 127
- 10.8.1.3 フィルターとデュプレクサー 128
- 10.8.1.4 RFミキサー 128
- 10.8.1.5 スイッチ 128
- 10.8.1.6 その他 128
11 グローバルのガリウムヒ素（GaAs）高周波（RF）半導体市場、地域別 129
11.1 概要 130
11.2 アジア太平洋 133
11.2.1 中国 140
11.2.2 日本 146
11.2.3 韓国 152
11.2.4 インド 158
11.2.5 台湾 164
11.2.6 オーストラリア 170
11.2.7 シンガポール 176
11.2.8 タイ 182
11.2.9 インドネシア 188
11.2.10 マレーシア 194
11.2.11 フィリピン 200
11.2.12 ニュージーランド 206
11.2.13 ベトナム 212
11.2.14 その他のアジア太平洋 218
11.3 北米 219
11.3.1 米国 225
11.3.2 カナダ 231
11.3.3 メキシコ 237
11.4 ヨーロッパ 243
11.4.1 ドイツ 250
11.4.2 フランス 256
11.4.3 英国 262
11.4.4 オランダ 268
11.4.5 イタリア 274
11.4.6 スペイン 280
11.4.7 ロシア 286
11.4.8 スイス 292
11.4.9 トルコ 298
11.4.10 ベルギー 304
11.4.11 ポーランド 310
11.4.12 スウェーデン 316
11.4.13 デンマーク 322
11.4.14 ノルウェー 328
11.4.15 フィンランド 334
11.4.16 その他のヨーロッパ 340
11.5 中東・アフリカ 341
11.5.1 サウジアラビア 348
11.5.2 アラブ首長国連邦 354
11.5.3 イスラエル 360
11.5.4 南アフリカ 366
11.5.5 エジプト 372
11.5.6 カタール 378
11.5.7 クウェート 384
11.5.8 バーレーン 395
11.5.9 その他の中東・アフリカ 401
11.6 南米 402
11.6.1 ブラジル 408
11.6.2 アルゼンチン 414
11.6.3 その他の南米 420
12 ガリウムヒ素（GaAs）高周波（RF）半導体の世界市場：企業概況 421
12.1 企業シェア分析：グローバル 421
12.2 企業シェア分析：北米 422
12.3 企業シェア分析：ヨーロッパ 423
12.4 企業シェア分析：アジア太平洋 424
13 SWOT分析 425
14 企業プロファイル 426
14.1 SKYWORKS SOLUTIONS, INC 426
14.1.1 企業情報 426
14.1.2 収益分析 427
14.1.3 企業シェア分析 427
14.1.4 製品ポートフォリオ 428
14.1.5 直近の動向 430
14.2 QORVO, INC 431
14.3 WIN SEMICONDUCTORS 438
14.4 BROADCOM 443
14.5 MURATA MANUFACTURING CO., LTD 445
14.6 ADVANCED WIRELESS SEMICONDUCTOR COMPANY 447
14.7 ANALOG DEVICES, INC 449
14.8 COHERENT CORP 452
14.9 DOWA ELECTRONICS MATERIALS CO., LTD 454
14.10 FREIBERGER COMPOUND MATERIALS GMBH 456
14.11 INFINEON TECHNOLOGIES AG 457
14.12 IQE PLC 461
14.13 KEYSIGHT TECHNOLOGIES 463
14.14 MACOM 466
14.15 MICROCHIP TECHNOLOGY INC 469
14.16 MITSUBISHI ELECTRIC CORPORATION 471
14.17 NXP SEMICONDUCTORS 473
14.18 SEMICONDUCTOR COMPONENTS INDUSTRIES, LLC 475
14.19 SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES, LTD 477
14.20 TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED 479
14.21 UNITED MONOLITHIC SEMICONDUCTORS (UMS) 481
14.22 VITAL MATERIALS CO., LIMITED 484
14.23 XIAMEN POWERWAY ADVANCED MATERIAL CO., LTD 485
15 アンケート 487
16 関連レポート 490
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