全体要約
ガリウムヒ素（GaAs）高周波（RF）半導体市場は、2023年の21億4595万9100ドルから2031年には37億7723万2200ドルに達すると予測されています。この成長率は2024年から2031年の間に年平均成長率（CAGR）7.1%となります。市場は、パワーアンプ、低雑音アンプ、フィルター、デュプレクサー、RFミキサー、スイッチなどのデバイス、そして動作電圧やウエハサイズを含むさまざまな要因によって構成されています。
主要な市場プレイヤーには、WINセミコンダクター、NXPセミコンダクター、Qorvo、MACOM、Broadcomなどが含まれます。スマートフォンの高い普及率が市場の推進要因となっていますが、高い生産コストが市場拡張の制約となっています。また、GaAs技術の進展が新たな機会として期待されています。
主要な市場プレイヤーには、WINセミコンダクター、NXPセミコンダクター、Qorvo、MACOM、Broadcomなどが含まれます。スマートフォンの高い普及率が市場の推進要因となっていますが、高い生産コストが市場拡張の制約となっています。また、GaAs技術の進展が新たな機会として期待されています。
関連する質問
3,707,723.02千ドル（2031年）
7.1%（2024年から2031年）
WIN Semiconductors, NXP Semiconductors, Qorvo, Inc, MACOM, Broadcom, Murata Manufacturing Co., Ltd., Sumitomo Electric Industries, Ltd., Keysight Technologies, DOWA Electronics Materials Co., Ltd., United Monolithic Semiconductors (UMS), Freiberger Compound Materials GmbH, Xiamen Powerway Advanced Material Co., Ltd., Mitsubishi Electric Corporation, Texas Instruments Incorporated, Coherent Corp, Advanced Wireless Semiconductor Company, Vital Materials Co., Limited, Skyworks Solutions, Inc., Analog Devices, Inc., Microchip Technology Inc., Semiconductor Components Industries, LLC, IQE PLC, Infineon Technologies AG
スマートフォンの普及率の向上, GaAs技術の進展, 高周波半導体の需要増加
概要
世界のガリウムひ素（GaAs）無線周波数（RF）半導体市場は、2023年の21,459,591.0千ドルから2031年には3,707,723.02千ドルに達する見込みであり、2024年から2031年の予測期間中に7.1%のCAGRで成長することが期待されています。
グローバルガリウムヒ素（GaAs）無線周波数（RF）半導体市場、デバイス別（パワーアンプ、低ノイズアンプ、フィルターとデュプレクサ、RFミキサー、スイッチ、およびその他）、周波数（超高周波（UHF）および非常に高周波（VHF））、動作電圧（最大5 V、5.1〜20 V、および20 V以上）、ウェーハサイズ（4インチ、6インチ、3インチ、2インチ、およびその他）、最終用途（通信、消費者デバイス、航空宇宙、防衛および衛星通信、自動車、コミュニティアンテナテレビ（CATV）および有線ブロードバンド、およびその他）、国（ドイツ、フランス、U.K.、イタリア、トルコ、スペイン、オランダ、ロシア、ベルギー、スイス、その他のヨーロッパ、アメリカ合衆国、カナダ、メキシコ、中国、日本、韓国、インド、オーストラリア、シンガポール、マレーシア、タイ、フィリピン、インドネシア、その他のアジア太平洋地域、サウジアラビア、U.A.E.、南アフリカ、イスラエル、エジプト、中東およびアフリカのその他、ブラジル、アルゼンチン、および南アメリカのその他） - 業界動向と2031年までの予測
グローバルガリウムヒ素（GaAs）無線周波数（RF）半導体市場の動向概要
ドライバー
世界中でのスマートフォンの高い普及率
抑制
高い生産コストが市場の拡大を制限する
機会
• ガリウムヒ素技術の進展
市場のプレーヤー
グローバルなガリウムヒ素（GaAs）高周波（RF）半導体市場で活動している主要なプレーヤーの一部は次のとおりです：
• WIN半導体
・NXPセミコンダクターズ
• コルボ株式会社
・マコム
ブロードコム
・村田製作所
住友電気工業株式会社
• キーサイトテクノロジーズ
・株式会社 DOWA エレクトロニクス材料（株式会社 DOWA ホールディングスの子会社）
ユナイテッド・モノリシック・セミコンダクターズ (UMS)
フライバーガーコンパウンドマテリアルズ社
厦門パワーウェイ先進材料株式会社
三菱電機株式会社
• テキサス・インスツルメンツ社
・コヒーレント社
高度無線半導体会社
バイタルマテリアルズ株式会社
スカイワークス・ソリューションズ社
アナログ・デバイセズ社
マイクロチップテクノロジー株式会社
セミコンダクターコンポーネンツインダストリーズ, LLC
・IQE PLC
・インフィニオンテクノロジーズAG
※以下の目次にて、具体的なレポートの構成をご覧頂けます。ご購入、無料サンプルご請求、その他お問い合わせは、ページ上のボタンよりお進みください。
グローバルガリウムヒ素（GaAs）無線周波数（RF）半導体市場、デバイス別（パワーアンプ、低ノイズアンプ、フィルターとデュプレクサ、RFミキサー、スイッチ、およびその他）、周波数（超高周波（UHF）および非常に高周波（VHF））、動作電圧（最大5 V、5.1〜20 V、および20 V以上）、ウェーハサイズ（4インチ、6インチ、3インチ、2インチ、およびその他）、最終用途（通信、消費者デバイス、航空宇宙、防衛および衛星通信、自動車、コミュニティアンテナテレビ（CATV）および有線ブロードバンド、およびその他）、国（ドイツ、フランス、U.K.、イタリア、トルコ、スペイン、オランダ、ロシア、ベルギー、スイス、その他のヨーロッパ、アメリカ合衆国、カナダ、メキシコ、中国、日本、韓国、インド、オーストラリア、シンガポール、マレーシア、タイ、フィリピン、インドネシア、その他のアジア太平洋地域、サウジアラビア、U.A.E.、南アフリカ、イスラエル、エジプト、中東およびアフリカのその他、ブラジル、アルゼンチン、および南アメリカのその他） - 業界動向と2031年までの予測
グローバルガリウムヒ素（GaAs）無線周波数（RF）半導体市場の動向概要
ドライバー
世界中でのスマートフォンの高い普及率
抑制
高い生産コストが市場の拡大を制限する
機会
• ガリウムヒ素技術の進展
市場のプレーヤー
グローバルなガリウムヒ素（GaAs）高周波（RF）半導体市場で活動している主要なプレーヤーの一部は次のとおりです：
• WIN半導体
・NXPセミコンダクターズ
• コルボ株式会社
・マコム
ブロードコム
・村田製作所
住友電気工業株式会社
• キーサイトテクノロジーズ
・株式会社 DOWA エレクトロニクス材料（株式会社 DOWA ホールディングスの子会社）
ユナイテッド・モノリシック・セミコンダクターズ (UMS)
フライバーガーコンパウンドマテリアルズ社
厦門パワーウェイ先進材料株式会社
三菱電機株式会社
• テキサス・インスツルメンツ社
・コヒーレント社
高度無線半導体会社
バイタルマテリアルズ株式会社
スカイワークス・ソリューションズ社
アナログ・デバイセズ社
マイクロチップテクノロジー株式会社
セミコンダクターコンポーネンツインダストリーズ, LLC
・IQE PLC
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目次
1 イントロダクション 46
1.1 調査の目的 46
1.2 市場の定義 46
1.3 グローバルのガリウムヒ素（GaAs）高周波（RF）半導体市場の概要 46
1.4 通貨・価格 48
1.5 制約 48
1.6 対象市場 49
2 市場セグメンテーション 52
2.1 対象市場 52
2.2 調査対象年 53
2.3 地理的範囲 54
2.4 DBMR トライポッド・データ・バリデーションモデル 55
2.5 主要オピニオンリーダーへの一次インタビュー 58
2.6 DBMR マーケットポジション・グリッド 59
2.7 ベンダーのシェア分析 60
2.8 市場エンドユーザーカバレッジ・グリッド 61
2.9 多変量解析モデリング 62
2.10 デバイス曲線 63
2.11 二次情報 64
2.12 前提 64
3 エグゼクティブサマリー 65
4 更なる考察 67
4.1 ペスタル分析 68
4.2 ポーターのファイブフォース分析 69
4.3 バリューチェーン分析 70
4.4 技術分析 71
4.5 ケーススタディ 74
4.6 経済減速の影響 77
4.7 規制フレームワーク 78
4.8 テクニカル・ルート分析 79
5 市場概要 81
5.1 促進要因 83
5.2 抑制要因 90
5.2.1 ガリウムヒ素の高い生産コスト 90
5.2.2 限られたGaAs材料の互換性と入手性 90
5.3 市場機会 92
5.3.1 GaAs技術の進歩 92
5.3.2 増加するコンシューマーエレクトロニクスの需要 93
5.3.3 半導体メーカー間の協力とパートナーシップ 93
5.4 課題 95
5.4.1 Gaasベースの製品開発サイクルの長期化 95
5.4.2 限られたGaAs基板サイズ 95
6 グローバルのガリウムヒ素（GaAs）高周波（RF）半導体市場、デバイス別 97
6.1 概要 98
6.2 パワーアンプ 99
6.3 低雑音増幅器 100
6.4 フィルターとデュプレクサー 100
6.5 RFミキサー 101
6.6 スイッチ 101
6.7 その他 102
7 グローバルのガリウムヒ素（GaAs）高周波（RF）半導体市場、フリークエンシー別 103
7.1 概要 104
7.2 超高周波（UHF） 105
7.3 ブイエッチエフ 105
8 ガリウムヒ素（GaAs）高周波（RF）半導体の世界市場：動作電圧別 106
8.1 概要 107
8.2 最大5 V 108
8.3 5.1～20 V 109
8.4 20V以上 109
9 グローバルのガリウムヒ素（GaAs）高周波（RF）半導体市場、ウェハーサイズ別 110
9.1 概要 111
9.2 4インチ 112
9.3 6インチ 113
9.4 3インチ 113
9.5 2インチ 114
9.6 その他 114
10 グローバルのガリウムヒ素（GaAs）高周波（RF）半導体市場、最終用途別 115
10.1 概要 116
10.2 通信 117
10.2.1 通信、デバイス別 118
- 10.2.1.1 パワーアンプ 118
- 10.2.1.2 低雑音増幅器 118
- 10.2.1.3 フィルターとデュプレクサー 118
- 10.2.1.4 RFミキサー 118
- 10.2.1.5 スイッチ 118
- 10.2.1.6 その他 118
10.3 消費者デバイス 119
10.3.1 消費者デバイス、デバイス別 119
- 10.3.1.1 パワーアンプ 119
- 10.3.1.2 低雑音増幅器 119
- 10.3.1.3 フィルターとデュプレクサー 120
- 10.3.1.4 RFミキサー 120
- 10.3.1.5 スイッチ 120
- 10.3.1.6 その他 120
10.4 航空宇宙 120
10.4.1 航空宇宙、デバイス別 121
- 10.4.1.1 パワーアンプ 121
- 10.4.1.2 低雑音増幅器 121
- 10.4.1.3 フィルターとデュプレクサー 121
- 10.4.1.4 RFミキサー 121
- 10.4.1.5 スイッチ 121
- 10.4.1.6 その他 121
10.5 防衛と衛星通信 122
10.5.1 防衛と衛星通信、デバイス別 122
- 10.5.1.1 パワーアンプ 122
- 10.5.1.2 低雑音増幅器 122
- 10.5.1.3 フィルターとデュプレクサー 123
- 10.5.1.4 RFミキサー 123
- 10.5.1.5 スイッチ 123
- 10.5.1.6 その他 123
10.6 自動車 123
10.6.1 自動車、デバイス別 124
- 10.6.1.1 パワーアンプ 124
- 10.6.1.2 低雑音増幅器 124
- 10.6.1.3 フィルターとデュプレクサー 124
- 10.6.1.4 RFミキサー 124
- 10.6.1.5 スイッチ 124
- 10.6.1.6 その他 124
10.7 地域アンテナテレビ（catv）と有線ブロードバンド 125
10.7.1 地域アンテナテレビ（catv）と有線ブロードバンド：デバイス別 125
- 10.7.1.1 パワーアンプ 126
- 10.7.1.2 低雑音増幅器 126
- 10.7.1.3 フィルターとデュプレクサー 126
- 10.7.1.4 RFミキサー 126
- 10.7.1.5 スイッチ 126
- 10.7.1.6 その他 126
10.8 その他 127
10.8.1 その他、デバイス別 127
- 10.8.1.1 パワーアンプ 127
- 10.8.1.2 低雑音増幅器 127
- 10.8.1.3 フィルターとデュプレクサー 128
- 10.8.1.4 RFミキサー 128
- 10.8.1.5 スイッチ 128
- 10.8.1.6 その他 128
11 グローバルのガリウムヒ素（GaAs）高周波（RF）半導体市場、地域別 129
11.1 概要 130
11.2 アジア太平洋 133
11.2.1 中国 140
11.2.2 日本 146
11.2.3 韓国 152
11.2.4 インド 158
11.2.5 台湾 164
11.2.6 オーストラリア 170
11.2.7 シンガポール 176
11.2.8 タイ 182
11.2.9 インドネシア 188
11.2.10 マレーシア 194
11.2.11 フィリピン 200
11.2.12 ニュージーランド 206
11.2.13 ベトナム 212
11.2.14 その他のアジア太平洋 218
11.3 北米 219
11.3.1 米国 225
11.3.2 カナダ 231
11.3.3 メキシコ 237
11.4 ヨーロッパ 243
11.4.1 ドイツ 250
11.4.2 フランス 256
11.4.3 英国 262
11.4.4 オランダ 268
11.4.5 イタリア 274
11.4.6 スペイン 280
11.4.7 ロシア 286
11.4.8 スイス 292
11.4.9 トルコ 298
11.4.10 ベルギー 304
11.4.11 ポーランド 310
11.4.12 スウェーデン 316
11.4.13 デンマーク 322
11.4.14 ノルウェー 328
11.4.15 フィンランド 334
11.4.16 その他のヨーロッパ 340
11.5 中東・アフリカ 341
11.5.1 サウジアラビア 348
11.5.2 アラブ首長国連邦 354
11.5.3 イスラエル 360
11.5.4 南アフリカ 366
11.5.5 エジプト 372
11.5.6 カタール 378
11.5.7 クウェート 384
11.5.8 バーレーン 395
11.5.9 その他の中東・アフリカ 401
11.6 南米 402
11.6.1 ブラジル 408
11.6.2 アルゼンチン 414
11.6.3 その他の南米 420
12 ガリウムヒ素（GaAs）高周波（RF）半導体の世界市場：企業概況 421
12.1 企業シェア分析：グローバル 421
12.2 企業シェア分析：北米 422
12.3 企業シェア分析：ヨーロッパ 423
12.4 企業シェア分析：アジア太平洋 424
13 SWOT分析 425
14 企業プロファイル 426
14.1 SKYWORKS SOLUTIONS, INC 426
14.1.1 企業情報 426
14.1.2 収益分析 427
14.1.3 企業シェア分析 427
14.1.4 製品ポートフォリオ 428
14.1.5 直近の動向 430
14.2 QORVO, INC 431
14.3 WIN SEMICONDUCTORS 438
14.4 BROADCOM 443
14.5 MURATA MANUFACTURING CO., LTD 445
14.6 ADVANCED WIRELESS SEMICONDUCTOR COMPANY 447
14.7 ANALOG DEVICES, INC 449
14.8 COHERENT CORP 452
14.9 DOWA ELECTRONICS MATERIALS CO., LTD 454
14.10 FREIBERGER COMPOUND MATERIALS GMBH 456
14.11 INFINEON TECHNOLOGIES AG 457
14.12 IQE PLC 461
14.13 KEYSIGHT TECHNOLOGIES 463
14.14 MACOM 466
14.15 MICROCHIP TECHNOLOGY INC 469
14.16 MITSUBISHI ELECTRIC CORPORATION 471
14.17 NXP SEMICONDUCTORS 473
14.18 SEMICONDUCTOR COMPONENTS INDUSTRIES, LLC 475
14.19 SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES, LTD 477
14.20 TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED 479
14.21 UNITED MONOLITHIC SEMICONDUCTORS (UMS) 481
14.22 VITAL MATERIALS CO., LIMITED 484
14.23 XIAMEN POWERWAY ADVANCED MATERIAL CO., LTD 485
15 アンケート 487
16 関連レポート 490
※英文のレポートについての日本語表記のタイトルや紹介文などは、すべて生成AIや自動翻訳ソフトを使用して提供しております。それらはお客様の便宜のために提供するものであり、当社はその内容について責任を負いかねますので、何卒ご了承ください。適宜英語の原文をご参照ください。
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Description
Global Gallium Arsenide (GaAs) Radio Frequency (RF) Semiconductor market is expected to reach USD 3,707,723.02 thousands by 2031 from USD 2,145,959.10 thousands in 2023, growing at a CAGR of 7.1% during the forecast period of 2024 to 2031.
Global Gallium Arsenide (GaAs) Radio Frequency (RF) Semiconductor Market, By Device (Power Amplifier, Low Noise Amplifier, Filter and Duplexer, RF Mixer, Switch, and Others), Frequency (Ultra-High Frequency (UHF) and Very High Frequency (VHF)), Operating Voltage (Up to 5 V, 5.1 to 20 V, and Above 20 V), Wafer Size (4-Inch, 6-Inch, 3-Inch, 2-Inch, and Others), End-Use (Telecommunication, Consumer Devices, Aerospace, Defence and Satcom, Automotive, Community Antenna Television (CATV) and Wired Broadband, and Others), Country (Germany, France, U.K., Italy, Turkey, Spain, Netherlands, Russia, Belgium, Switzerland, Rest of Europe, U.S., Canada, Mexico, China, Japan, South Korea, India, Australia, Singapore, Malaysia, Thailand, Philippines, Indonesia, Rest of Asia-Pacific, Saudi Arabia, U.A.E., South Africa, Israel, Egypt, Rest of Middle East and Africa, Brazil, Argentina, and Rest of South America) - Industry Trends and Forecast to 2031
Overview of Global Gallium Arsenide (GaAs) Radio Frequency (RF) Semiconductor Market Dynamics
Driver
• High penetration of smartphones across the globe
Restraint
• High production cost to restrict market expansion
Opportunity
• Advancements in GaAs technology
Market Players
Some of the major players operating in the global Gallium Arsenide (GaAs) Radio Frequency (RF) semiconductor market are:
• WIN Semiconductors
• NXP Semiconductors
• Qorvo, Inc
• MACOM
• Broadcom
• Murata Manufacturing Co., Ltd.
• Sumitomo Electric Industries, Ltd.
• Keysight Technologies
• DOWA Electronics Materials Co., Ltd. (A Subsidiary of DOWA HOLDINGS CO., LTD.)
• United Monolithic Semiconductors (UMS)
• Freiberger Compound Materials GmbH
• Xiamen Powerway Advanced Material Co., Ltd.
• Mitsubishi Electric Corporation
• Texas Instruments Incorporated
• Coherent Corp
• Advanced Wireless Semiconductor Company
• Vital Materials Co., Limited
• Skyworks Solutions, Inc.
• Analog Devices, Inc.
• Microchip Technology Inc.
• Semiconductor Components Industries, LLC
• IQE PLC
• Infineon Technologies AG
Table of Contents
1 INTRODUCTION 46
1.1 OBJECTIVES OF THE STUDY 46
1.2 MARKET DEFINITION 46
1.3 OVERVIEW OF THE GLOBAL GALLIUM ARSENIDE (GAAS) RADIO FREQUENCY (RF) SEMICONDUCTOR MARKET 46
1.4 CURRENCY AND PRICING 48
1.5 LIMITATIONS 48
1.6 MARKETS COVERED 49
2 MARKET SEGMENTATION 52
2.1 MARKETS COVERED 52
2.2 YEARS CONSIDERED FOR THE STUDY 53
2.3 GEOGRAPHIC SCOPE 54
2.4 DBMR TRIPOD DATA VALIDATION MODEL 55
2.5 PRIMARY INTERVIEWS WITH KEY OPINION LEADERS 58
2.6 DBMR MARKET POSITION GRID 59
2.7 VENDOR SHARE ANALYSIS 60
2.8 MARKET END-USER COVERAGE GRID 61
2.9 MULTIVARIATE MODELLING 62
2.10 DEVICE CURVE 63
2.11 SECONDARY SOURCES 64
2.12 ASSUMPTIONS 64
3 EXECUTIVE SUMMARY 65
4 PREMIUM INSIGHTS 67
4.1 PESTAL ANALYSIS 68
4.2 PORTER’S FIVE FORCES ANALYSIS 69
4.3 VALUE CHAIN ANALYSIS 70
4.4 TECHNOLOGY ANALYSIS 71
4.5 CASE STUDIES 74
4.6 IMPACT OF ECONOMIC SLOWDOWN 77
4.7 REGULATORY FRAMEWORK 78
4.8 TECHNICAL ROUTE ANALYSIS 79
5 MARKET OVERVIEW 81
5.1 DRIVERS 83
5.1.1 HIGH PENETRATION OF SMARTPHONES ACROSS THE GLOBE 83
5.1.2 ADVANCEMENT IN NETWORK AND COMMUNICATION TECHNOLOGIES 85
5.1.3 INCREASING DEMAND FOR HIGH-FREQUENCY COMMUNICATION 86
5.1.4 RISING ADOPTION OF GALLIUM ARSENIDE (GAAS) DUE TO THE EXPANSION OF THE INTERNET OF THINGS 87
5.2 RESTRAINTS 90
5.2.1 HIGH PRODUCTION COST OF GALLIUM ARSENIDE 90
5.2.2 LIMITED GAAS MATERIAL COMPATIBILITY AND AVAILABILITY 90
5.3 OPPORTUNITIES 92
5.3.1 ADVANCEMENTS IN GAAS TECHNOLOGY 92
5.3.2 INCREASING DEMAND FOR CONSUMER ELECTRONICS 93
5.3.3 COLLABORATIONS AND PARTNERSHIPS BETWEEN SEMICONDUCTOR MANUFACTURERS 93
5.4 CHALLENGES 95
5.4.1 LONGER GAAS-BASED PRODUCTS DEVELOPMENT CYCLE 95
5.4.2 LIMITED AVAILABILITY OF GAAS SUBSTRATE SIZE 95
6 GLOBAL GALLIUM ARSENIDE (GAAS) RADIO FREQUENCY (RF) SEMICONDUCTOR MARKET, BY DEVICE 97
6.1 OVERVIEW 98
6.2 POWER AMPLIFIER 99
6.3 LOW NOISE AMPLIFIER 100
6.4 FILTER AND DUPLEXER 100
6.5 RF MIXER 101
6.6 SWITCH 101
6.7 OTHERS 102
7 GLOBAL GALLIUM ARSENIDE (GAAS) RADIO FREQUENCY (RF) SEMICONDUCTOR MARKET, BY FREQUENCY 103
7.1 OVERVIEW 104
7.2 ULTRA-HIGH FREQUENCY (UHF) 105
7.3 VERY HIGH FREQUENCY (VHF) 105
8 GLOBAL GALLIUM ARSENIDE (GAAS) RADIO FREQUENCY (RF) SEMICONDUCTOR MARKET, BY OPERATING VOLTAGE 106
8.1 OVERVIEW 107
8.2 UP TO 5 V 108
8.3 5.1 TO 20 V 109
8.4 ABOVE 20 V 109
9 GLOBAL GALLIUM ARSENIDE (GAAS) RADIO FREQUENCY (RF) SEMICONDUCTOR MARKET, BY WAFER SIZE 110
9.1 OVERVIEW 111
9.2 4-INCH 112
9.3 6-INCH 113
9.4 3-INCH 113
9.5 2-INCH 114
9.6 OTHERS 114
10 GLOBAL GALLIUM ARSENIDE (GAAS) RADIO FREQUENCY (RF) SEMICONDUCTOR MARKET, BY END-USE 115
10.1 OVERVIEW 116
10.2 TELECOMMUNICATION 117
10.2.1 TELECOMMUNICATION, BY DEVICE 118
- 10.2.1.1 POWER AMPLIFIER 118
- 10.2.1.2 LOW NOISE AMPLIFIER 118
- 10.2.1.3 FILTER AND DUPLEXER 118
- 10.2.1.4 RF MIXER 118
- 10.2.1.5 SWITCH 118
- 10.2.1.6 OTHERS 118
10.3 CONSUMER DEVICES 119
10.3.1 CONSUMER DEVICES, BY DEVICE 119
- 10.3.1.1 POWER AMPLIFIER 119
- 10.3.1.2 LOW NOISE AMPLIFIER 119
- 10.3.1.3 FILTER AND DUPLEXER 120
- 10.3.1.4 RF MIXER 120
- 10.3.1.5 SWITCH 120
- 10.3.1.6 OTHERS 120
10.4 AEROSPACE 120
10.4.1 AEROSPACE, BY DEVICE 121
- 10.4.1.1 POWER AMPLIFIER 121
- 10.4.1.2 LOW NOISE AMPLIFIER 121
- 10.4.1.3 FILTER AND DUPLEXER 121
- 10.4.1.4 RF MIXER 121
- 10.4.1.5 SWITCH 121
- 10.4.1.6 OTHERS 121
10.5 DEFENCE AND SATCOM 122
10.5.1 DEFENCE AND SATCOM, BY DEVICE 122
- 10.5.1.1 POWER AMPLIFIER 122
- 10.5.1.2 LOW NOISE AMPLIFIER 122
- 10.5.1.3 FILTER AND DUPLEXER 123
- 10.5.1.4 RF MIXER 123
- 10.5.1.5 SWITCH 123
- 10.5.1.6 OTHERS 123
10.6 AUTOMOTIVE 123
10.6.1 AUTOMOTIVE, BY DEVICE 124
- 10.6.1.1 POWER AMPLIFIER 124
- 10.6.1.2 LOW NOISE AMPLIFIER 124
- 10.6.1.3 FILTER AND DUPLEXER 124
- 10.6.1.4 RF MIXER 124
- 10.6.1.5 SWITCH 124
- 10.6.1.6 OTHERS 124
10.7 COMMUNITY ANTENNA TELEVISION (CATV) AND WIRED BROADBAND 125
10.7.1 COMMUNITY ANTENNA TELEVISION (CATV) AND WIRED BROADBAND, BY DEVICE 125
- 10.7.1.1 POWER AMPLIFIER 126
- 10.7.1.2 LOW NOISE AMPLIFIER 126
- 10.7.1.3 FILTER AND DUPLEXER 126
- 10.7.1.4 RF MIXER 126
- 10.7.1.5 SWITCH 126
- 10.7.1.6 OTHERS 126
10.8 OTHERS 127
10.8.1 OTHERS, BY DEVICE 127
- 10.8.1.1 POWER AMPLIFIER 127
- 10.8.1.2 LOW NOISE AMPLIFIER 127
- 10.8.1.3 FILTER AND DUPLEXER 128
- 10.8.1.4 RF MIXER 128
- 10.8.1.5 SWITCH 128
- 10.8.1.6 OTHERS 128
11 GLOBAL GALLIUM ARSENIDE (GAAS) RADIO FREQUENCY (RF) SEMICONDUCTOR MARKET, BY REGION 129
11.1 OVERVIEW 130
11.2 ASIA-PACIFIC 133
11.2.1 CHINA 140
11.2.2 JAPAN 146
11.2.3 SOUTH KOREA 152
11.2.4 INDIA 158
11.2.5 TAIWAN 164
11.2.6 AUSTRALIA 170
11.2.7 SINGAPORE 176
11.2.8 THAILAND 182
11.2.9 INDONESIA 188
11.2.10 MALAYSIA 194
11.2.11 PHILIPPINES 200
11.2.12 NEW ZEALAND 206
11.2.13 VIETNAM 212
11.2.14 REST OF ASIA PACIFIC 218
11.3 NORTH AMERICA 219
11.3.1 U.S 225
11.3.2 CANADA 231
11.3.3 MEXICO 237
11.4 EUROPE 243
11.4.1 GERMANY 250
11.4.2 FRANCE 256
11.4.3 U.K 262
11.4.4 NETHERLANDS 268
11.4.5 ITALY 274
11.4.6 SPAIN 280
11.4.7 RUSSIA 286
11.4.8 SWITZERLAND 292
11.4.9 TURKEY 298
11.4.10 BELGIUM 304
11.4.11 POLAND 310
11.4.12 SWEDEN 316
11.4.13 DENMARK 322
11.4.14 NORWAY 328
11.4.15 FINLAND 334
11.4.16 REST OF EUROPE 340
11.5 MIDDLE EAST AND AFRICA 341
11.5.1 SAUDI ARABIA 348
11.5.2 U.A.E 354
11.5.3 ISRAEL 360
11.5.4 SOUTH AFRICA 366
11.5.5 EGYPT 372
11.5.6 QATAR 378
11.5.7 KUWAIT 384
11.5.8 BAHRAIN 395
11.5.9 REST OF MIDDLE EAST AND AFRICA 401
11.6 SOUTH AMERICA 402
11.6.1 BRAZIL 408
11.6.2 ARGENTINA 414
11.6.3 REST OF SOUTH AMERICA 420
12 GLOBAL GALLIUM ARSENIDE (GAAS) RADIO FREQUENCY (RF) SEMICONDUCTOR MARKET: COMPANY LANDSCAPE 421
12.1 COMPANY SHARE ANALYSIS: GLOBAL 421
12.2 COMPANY SHARE ANALYSIS: NORTH AMERICA 422
12.3 COMPANY SHARE ANALYSIS: EUROPE 423
12.4 COMPANY SHARE ANALYSIS: ASIA-PACIFIC 424
13 SWOT ANALYSIS 425
14 COMPANY PROFILE 426
14.1 SKYWORKS SOLUTIONS, INC 426
14.1.1 COMPANY SNAPSHOT 426
14.1.2 REVENUE ANALYSIS 427
14.1.3 COMPANY SHARE ANALYSIS 427
14.1.4 PRODUCT PORTFOLIO 428
14.1.5 RECENT DEVELOPMENTS 430
14.2 QORVO, INC 431
14.2.1 COMPANY SNAPSHOT 431
14.2.2 REVENUE ANALYSIS 431
14.2.3 COMPANY SHARE ANALYSIS 432
14.2.4 PRODUCT PORTFOLIO 432
14.2.5 RECENT DEVELOPMENTS 437
14.3 WIN SEMICONDUCTORS 438
14.3.1 COMPANY SNAPSHOT 438
14.3.2 REVENUE ANALYSIS 438
14.3.3 COMPANY SHARE ANALYSIS 439
14.3.4 PRODUCT PORTFOLIO 439
14.3.5 RECENT DEVELOPMENTS 442
14.4 BROADCOM 443
14.4.1 COMPANY SNAPSHOT 443
14.4.2 REVENUE ANALYSIS 443
14.4.3 PRODUCT PORTFOLIO 444
14.4.4 RECENT DEVELOPMENT 444
14.5 MURATA MANUFACTURING CO., LTD 445
14.5.1 COMPANY SNAPSHOT 445
14.5.2 REVENUE ANALYSIS 445
14.5.3 PRODUCT PORTFOLIO 446
14.5.4 RECENT DEVELOPMENT 446
14.6 ADVANCED WIRELESS SEMICONDUCTOR COMPANY 447
14.6.1 COMPANY SNAPSHOT 447
14.6.2 REVENUE ANALYSIS 447
14.6.3 PRODUCT PORTFOLIO 448
14.6.4 RECENT DEVELOPMENT 448
14.7 ANALOG DEVICES, INC 449
14.7.1 COMPANY SNAPSHOT 449
14.7.2 REVENUE ANALYSIS 449
14.7.3 PRODUCT PORTFOLIO 450
14.7.4 RECENT DEVELOPMENTS 450
14.8 COHERENT CORP 452
14.8.1 COMPANY SNAPSHOT 452
14.8.2 REVENUE ANALYSIS 452
14.8.3 PRODUCT PORTFOLIO 453
14.8.4 RECENT DEVELOPMENTS 453
14.9 DOWA ELECTRONICS MATERIALS CO., LTD 454
14.9.1 COMPANY SNAPSHOT 454
14.9.2 REVENUE ANALYSIS 454
14.9.3 PRODUCT PORTFOLIO 455
14.9.4 RECENT DEVELOPMENTS 455
14.10 FREIBERGER COMPOUND MATERIALS GMBH 456
14.10.1 COMPANY SNAPSHOT 456
14.10.2 PRODUCT PORTFOLIO 456
14.10.3 RECENT DEVELOPMENTS 456
14.11 INFINEON TECHNOLOGIES AG 457
14.11.1 COMPANY SNAPSHOT 457
14.11.2 REVENUE ANALYSIS 457
14.11.3 PRODUCT PORTFOLIO 458
14.11.4 RECENT DEVELOPMENTS 460
14.12 IQE PLC 461
14.12.1 COMPANY SNAPSHOT 461
14.12.2 REVENUE ANALYSIS 461
14.12.3 PRODUCT PORTFOLIO 462
14.12.4 RECENT DEVELOPMENTS 462
14.13 KEYSIGHT TECHNOLOGIES 463
14.13.1 COMPANY SNAPSHOT 463
14.13.2 REVENUE ANALYSIS 464
14.13.3 PRODUCT PORTFOLIO 464
14.13.4 RECENT DEVELOPMENTS 465
14.14 MACOM 466
14.14.1 COMPANY SNAPSHOT 466
14.14.2 REVENUE ANALYSIS 466
14.14.3 PRODUCT PORTFOLIO 467
14.14.4 RECENT DEVELOPMENTS 468
14.15 MICROCHIP TECHNOLOGY INC 469
14.15.1 COMPANY SNAPSHOT 469
14.15.2 REVENUE ANALYSIS 469
14.15.3 PRODUCT PORTFOLIO 470
14.15.4 RECENT DEVELOPMENTS 470
14.16 MITSUBISHI ELECTRIC CORPORATION 471
14.16.1 COMPANY SNAPSHOT 471
14.16.2 REVENUE ANALYSIS 471
14.16.3 PRODUCT PORTFOLIO 472
14.16.4 RECENT DEVELOPMENT 472
14.17 NXP SEMICONDUCTORS 473
14.17.1 COMPANY SNAPSHOT 473
14.17.2 REVENUE ANALYSIS 473
14.17.3 PRODUCT PORTFOLIO 474
14.17.4 RECENT DEVELOPMENTS 474
14.18 SEMICONDUCTOR COMPONENTS INDUSTRIES, LLC 475
14.18.1 COMPANY SNAPSHOT 475
14.18.2 REVENUE ANALYSIS 475
14.18.3 PRODUCT PORTFOLIO 476
14.18.4 RECENT DEVELOPMENT 476
14.19 SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES, LTD 477
14.19.1 COMPANY SNAPSHOT 477
14.19.2 REVENUE ANALYSIS 477
14.19.3 PRODUCT PORTFOLIO 478
14.19.4 RECENT DEVELOPMENT 478
14.20 TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED 479
14.20.1 COMPANY SNAPSHOT 479
14.20.2 REVENUE ANALYSIS 479
14.20.3 PRODUCT PORTFOLIO 480
14.20.4 RECENT DEVELOPMENTS 480
14.21 UNITED MONOLITHIC SEMICONDUCTORS (UMS) 481
14.21.1 COMPANY SNAPSHOT 481
14.21.2 PRODUCT PORTFOLIO 481
14.21.3 RECENT DEVELOPMENTS 483
14.22 VITAL MATERIALS CO., LIMITED 484
14.22.1 COMPANY SNAPSHOT 484
14.22.2 PRODUCT PORTFOLIO 484
14.22.3 RECENT DEVELOPMENT 484
14.23 XIAMEN POWERWAY ADVANCED MATERIAL CO., LTD 485
14.23.1 COMPANY SNAPSHOT 485
14.23.2 PRODUCT PORTFOLIO 485
14.23.3 RECENT DEVELOPMENTS 486
15 QUESTIONNAIRE 487
16 RELATED REPORTS 490
