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商品コード MD091190548CFA
出版日 2024/2/17
英文120 ページグローバル

HBM(高帯域幅メモリー)市場 - 市場シェア分析、市場規模、業界動向、数値データおよび成長率予測レポート(2019年〜2029年)電子部品/半導体市場

High Bandwidth Memory - Market Share Analysis, Industry Trends & Statistics, Growth Forecasts 2019 - 2029


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商品コード MD091190548CFA◆2026年2月版も出版されている時期ですので、お問い合わせ後すぐに確認いたします。
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HBM(高帯域幅メモリー)市場 - 市場シェア分析、市場規模、業界動向、数値データおよび成長率予測レポート(2019年〜2029年)電子部品/半導体市場

High Bandwidth Memory - Market Share Analysis, Industry Trends & Statistics, Growth Forecasts 2019 - 2029



全体要約

HBM市場は、2024年に252億ドル、2029年には795億ドルに達すると推定され、年平均成長率は25.86%です。HBMは、通常、高性能グラフィックスアクセラレーターやスパコンで使用される高速メモリインターフェースであり、8つのDRAMダイを積み重ねてTSVで接続することで高帯域幅を実現し、低消費電力での運用が可能です。240ビットのインターフェースを持つHBMは、GDDR5よりも性能と電力効率において優れた結果を出しています。

自動車業界では、自動運転車やADASの統合に伴い、HBMの需要が急増しています。北米では、高性能コンピューティング(HPC)アプリケーションの需要が高まり、HBMの採用が進んでいます。政府のデータセンター最適化イニシアチブ(DCOI)により、大規模なデータセンターの建設が進められ、高帯域幅メモリの必要性が高まっています。主なプレイヤーには、インテル、東芝、富士通が含まれています。

関連する質問

2.52 billion USD (2024)

25.86% (2024-2029)

Intel Corporation, Toshiba Corporation, Fujitsu Ltd

高帯域幅と低消費電力の必要性、人工知能の採用増加、電子デバイスの小型化のトレンド


概要

ハイバンド幅メモリ市場の規模は、2024年に25.2億米ドルと推定されており、2029年までに79.5億米ドルに達し、予測期間(2024-2029年)中に年平均成長率25.86%で成長することが期待されています。
高バンド幅メモリ(HBM)市場の成長を促進する主要な要因には、高帯域幅、低消費電力、そして非常にスケーラブルなメモリの必要性の高まり、人工知能の採用の増加、そして電子デバイスの小型化のトレンドが含まれます。

主なハイライト


    ハイバンド幅メモリ(HBM)は、3DスタックSDRAMのための高速コンピュータメモリインターフェースであり、通常は高性能グラフィックスアクセラレータ、ネットワークデバイス、およびスパコンと一緒に使用されます。
    8つのDRAMダイを回路上に積み重ね、TSVで相互接続することで、HBMは substantially higher bandwidth を提供し、相対的に小さなフォームファクターでより少ない電力を使用します。また、128ビットのチャネルと合計8チャネルを備えたHBMは、1024ビットのインターフェースを提供します。したがって、4つのHBMスタックを持つGPUは、4096ビットのメモリバスを提供します。
  • グラフィックスアプリケーションの増加に伴い、高速な情報配信(帯域幅)へのニーズも高まっています。したがって、HBMメモリは、以前使用されていたGDDR5と比較して、パフォーマンスと電力効率の面で優れており、高帯域幅メモリ市場の成長機会をもたらしています。

  • さらに、主要な半導体ベンダーは、 COVID-19 の世界的な広がりの影響で、能力を削減して作業を行っています。また、労働者不足により、中国の多くのパッケージおよびテスト工場が運営を削減または停止しました。これにより、そのようなバックエンドパッケージおよびテスト能力に依存するチップ企業にとって、ボトルネックが生じました。
    しかし、市場の成長を促進するいくつかの要因には、人工知能の採用の増加、低消費電力の需要の増加、高帯域幅、非常にスケーラブルなメモリ、および電子機器の小型化のトレンドの高まりが含まれます。

高帯域幅メモリ(HBM)市場の動向


自動車およびその他の用途セグメントは、著しい成長が予想されます。

  • 高帯域幅メモリの用途は、自動運転車やADASの統合などの増加により、自動車産業に広がっています。自動車産業の進展は、高性能メモリの採用を促進し、高帯域幅メモリの成長を支えています。

  • HBMは、従来のDRAMを改善することで進化し、2.5D技術を用いてCPUに近づけ、信号を drive するために必要な電力を削減し、RC遅延を最小限に抑えました。自動運転市場は拡大しており、環境を解釈および分析するためにデータセットを広範に利用しています。事故や迫り来る危機を防ぐため、データ処理は非常に迅速に行われています。迅速かつ強力なGPUへの需要が、高帯域幅メモリをシステムに組み込む需要を増加させています。

  • 高度な運転支援技術は、自動運転とともに自動車業界で非常に人気があります。以前のADAS設計は、当時入手可能だったDDR4やLPDDR4のようなメモリチップを使用していました。しかし、自動車産業がコスト効率からより良い性能パラメータへの移行を進める中で、ADASメーカーは設計アーキテクチャにHBM技術を組み込むことを余儀なくされています。

  • 自動車における技術の急速な進展と、車両でのエッジ技術の利用の増加は、高帯域幅メモリとDDRAMの販売を促進するでしょう。

北米が市場で最大のシェアを保持する

    北米におけるHBMメモリの高い採用は、主に高速データ処理のための高帯域幅メモリソリューションを必要とする高性能コンピューティング(HPC)アプリケーションの成長によるものです。北米におけるHPCの需要は、AI、機械学習、クラウドコンピューティングの市場の増加によって成長しています。
    急速に変化する技術と産業全体でのデータ生成の増加は、より効率的な処理システムの必要性を生じさせています。これらは、地域における高帯域幅メモリ市場の需要を促進するいくつかの要因でもあります。
  • さらに、米国政府は、全国の多くのデータセンターを統合することで、公共サービスを向上させ、納税者への投資収益を増やすためのデータセンター最適化イニシアティブ(DCOI)を開始しました。統合プロセスには、ハイパースケールデータセンターの構築と、パフォーマンスの低いデータセンターの閉鎖が含まれます。Cloudsceneによると、2022年1月時点で、米国には約2,701のデータセンターがあります。

  • さらに、北アメリカのメモリ製造会社は生産拡大の機会を探しています。例えば、インテルは次世代のSapphire Rapids(SPR)Xeonスケーラブルプロセッサの発表を行い、高帯域幅メモリ(HBM)を搭載しています。Sapphire RapidsがサポートするDDR5は、サーバーメモリの現在のトレンドであるDDR4に取って代わると期待されており、CPUに利用可能なメモリ帯域幅を大幅に拡大する高帯域幅メモリ(HBM)をサポートしています。


高速バンド幅メモリ(HBM)産業概観


高帯域幅メモリ市場は非常に分散しており、市場は競争が激しく、複数の主要プレーヤーで構成されています。この業界の競争は、主に革新、市場浸透、競争戦略の力による持続可能な競争優位性に依存しています。市場は資本集約的であるため、撤退の障壁も高いです。市場の主要プレーヤーには、インテル社、東芝株式会社、富士通株式会社などがあります。市場における最近の主要な進展は以下の通りです。

  • 2022年2月 - アドバンスト・マイクロ・デバイセズ社は、ザイリンクスの買収を発表しました。同社は、この購入により、初年度の非GAAPマージン、非GAAP EPS、そしてフリーキャッシュフローの生成が向上すると期待しています。さらに、AMDは、ザイリンクスの買収が、業界の高性能かつ適応型コンピューティング組織を構築するために、高度に補完的な製品、顧客、市場、差別化されたIP、そして世界クラスの人材を結集すると主張しています。

  • - 2022年11月 - インテル社は、高性能コンピューティング(HPC)および人工知能(AI)向けの最先端の2つのソリューションを、インテルマックスシリーズ製品ファミリーの一部として発表しました:インテルXeon CPUマックスシリーズ(コードネーム:サファイアラピッズHBM)とインテルデータセンターGPUマックスシリーズ(コードネーム:ポンテ・ヴェッキオ)です。これらの新製品は、アルゴンヌ国立研究所における今後のオーロラスーパーコンピュータを支えます。

追加の利点:
マーケット推定(ME)シート(Excel形式)
アナリストサポート3ヶ月

※以下の目次にて、具体的なレポートの構成をご覧頂けます。ご購入、無料サンプルご請求、その他お問い合わせは、ページ上のボタンよりお進みください。

目次

  • 1 イントロダクション

    • 1.1 調査の前提条件と市場の定義
    • 1.2 本調査の範囲
  • 2 調査手法

  • 3 エグゼクティブサマリー

  • 4 市場についての洞察

    • 4.1 市場概要
    • 4.2 業界バリューチェーン分析
    • 4.3 業界魅力度 - ポーターのファイブフォース分析
      • 4.3.1 サプライヤーの交渉力
      • 4.3.2 買い手・消費者の交渉力
      • 4.3.3 新規参入の脅威
      • 4.3.4 代替品の脅威
      • 4.3.5 競合・競争状況の激しさ
    • 4.4 Covid-19インパクト評価
    • 4.5 市場の促進要因
    • 4.6 市場の課題
      • 4.6.1 HBMに伴う法外なコストと設計の複雑さ
    • 4.7 DRAM市場
  • 5 市場セグメンテーション

    • 5.1 用途別
      • 5.1.1 サーバー
      • 5.1.2 ネットワーキング
      • 5.1.3 消費者
      • 5.1.4 自動車およびその他の用途
    • 5.2 地域別
      • 5.2.1 北米
        • 5.2.1.1 米国
        • 5.2.1.2 カナダ
      • 5.2.2 ヨーロッパ
        • 5.2.2.1 ドイツ
        • 5.2.2.2 フランス
        • 5.2.2.3 英国
        • 5.2.2.4 その他のヨーロッパ
      • 5.2.3 アジア太平洋
        • 5.2.3.1 インド
        • 5.2.3.2 中国
        • 5.2.3.3 日本
        • 5.2.3.4 その他のアジア太平洋
      • 5.2.4 その他の地域
  • 6 競合情勢

    • 6.1 企業プロファイル
      • 6.1.1 Key HBM Memory Die Suppliers
        • 6.1.1.1 マイクロンテクノロジー
        • 6.1.1.2 サムスン電子
        • 6.1.1.3 SK Hynix Inc.
      • 6.1.2 Key Stakeholders Profiles
        • 6.1.2.1 INTEL CORPORATION
        • 6.1.2.2 富士通
        • 6.1.2.3 アドバンスト・マイクロ・デバイス社
        • 6.1.2.4 ザイリンクス
        • 6.1.2.5 エヌビディア株式会社
        • 6.1.2.6 オープンシリコン
  • 7 投資分析

  • 8 市場機会と今後の動向

※英文のレポートについての日本語表記のタイトルや紹介文などは、すべて生成AIや自動翻訳ソフトを使用して提供しております。それらはお客様の便宜のために提供するものであり、当社はその内容について責任を負いかねますので、何卒ご了承ください。適宜英語の原文をご参照ください。 “All Japanese titles, abstracts, and other descriptions of English-language reports were created using generative AI and/or machine translation. These are provided for your convenience only and may contain errors and inaccuracies. Please be sure to refer to the original English-language text. We disclaim all liability in relation to your reliance on such AI-generated and/or machine-translated content.”

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