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商品コード MM0914107489AU◆2025年3月版も出版されている時期ですので、お問い合わせ後すぐに確認いたします。
出版日 2024/3/21
MarketsandMarkets
英文 233 ページグローバル

シリコンカーバイド（SiC）市場 - デバイス別、ウェハーサイズ別、最終用途別、材料別、結晶構造別、地域別：世界市場規模・市場予測レポート（〜2029年） ‐ 化学/マテリアル市場

Silicon Carbide Market by Device (SiC Discrete Device, SiC Module), Wafer Size (Up to 150mm, >150mm), End-use Application (Automotive, Energy & Power, Industrial, Transportation), Material, Crystal Structure and Region - Global Forecast to 2029


全体要約

シリコンカーバイド市場は、2024年に42億XX米ドルから2029年には172億XX米ドルに達し、年平均成長率（CAGR）は32.6%と予測されています。この成長の主な要因は、パワーエレクトロニクス需要の増加、再生可能エネルギーシステムの需要の急増、シリコンカーバイドデバイスの採用を促進する取り組みや投資の増加です。特に、150mm超のウエハサイズセグメントが最も高いCAGRを示すと予測されています。

アジア太平洋地域は、シリコンカーバイド市場で最も高いCAGRを記録すると期待されています。この地域では、高出力アプリケーションの拡大が進み、多くの企業がシリコンカーバイド半導体デバイスを商業化する機会を得ています。主要企業には、ROHM株式会社や富士電機株式会社、ルネサスエレクトロニクス株式会社、東芝株式会社、TanKeBlue Semiconductor株式会社などがあります。

関連する質問

17.2億ドル（2029年）

32.6%（2024年から2029年）

ROHM Co., Ltd., Fuji Electric Co., Ltd., Renesas Electronics Corporation, Toshiba Corporation, TanKeBlue Semiconductor Co. Ltd., STMicroelectronics N.V., Infineon Technologies AG, Semiconductor Components Industries, LLC, WOLFSPEED, INC.

高電力アプリケーションの需要増加, 再生可能エネルギーシステムの需要急増, SiCデバイスの採用を促進する取り組みと投資の増加

概要

シリコンカーバイド市場は、2024年の42億米ドルから2029年には172億米ドルに達すると予測されており、2024年から2029年にかけて年平均成長率（CAGR）は32.6%です。シリコンカーバイド市場の成長を促進する主な要因には、パワーエレクトロニクスへの需要の増加、再生可能エネルギーシステムへの急激な需要の高まり、SiCデバイスの採用を促進するための取り組みや投資の増加が含まれており、これらは市場のプレイヤーに多くの成長機会を提供することが期待されています。
150 mmセグメントは、予測期間中にシリコンカーバイド市場で最も高いCAGRを示すことが期待されています。
>150 mm ウェーハサイズ市場は、予測期間中に最も高い CAGR を示すことが見込まれています。これらのウェーハは、標準的なシリコンウェーハと比較して 50% 薄いプロファイルであるため、SiC MOSFET や SiC モジュールなどの様々なデバイスで使用されています。これらの SiC ウェーハは、大量生産および高温が要求されるアプリケーション向けに設計されているため、高い熱伝導率、優れたキャリア移動度、並外れた化学的安定性などの素晴らしい特性を備えています。したがって、>150 mm セグメントは予測期間中に最も高い CAGR を記録することが期待されています。
アジア太平洋地域は、予測期間中に炭化ケイ素市場で最も高いCAGRを記録すると予想されています。
地域の高出力アプリケーションの拡大により、アジア太平洋地域におけるパワー半導体デバイスの重要な収益機会が生まれ、さまざまなパワーアプリケーション向けにシリコンカーバイド半導体デバイスを商業化する企業が多数を惹きつけています。この拡大は地域の市場プレーヤーの収益を押し上げます。シリコンカーバイドセクターの主要企業であるROHM株式会社、富士電機株式会社、ルネサスエレクトロニクス株式会社、東芝株式会社、およびTanKeBlue Semiconductor株式会社は、アジア太平洋地域に本社を置いています。したがって、アジア太平洋地域は予測期間中にシリコンカーバイド市場で最も高いCAGRを記録すると予想されます。
シリコンカーバイド市場における主要参加者のプロフィールの内訳
• 会社の種類別: 第1層 – 35%、第2層 – 45%、第3層 – 20%
• 役職タイプ別：Cレベル – 40%、ディレクターレベル – 30%、その他 – 30%
地域別: 北米 – 30%、ヨーロッパ – 20%、アジア太平洋 – 40%、その他の地域 (RoW) – 10%
シリコンカーバイド市場の主要企業は、STMicroelectronics N.V.（スイス）、Infineon Technologies AG（ドイツ）、Semiconductor Components Industries, LLC（米国）、WOLFSPEED, INC.（米国）、およびROHM Co., Ltd.（日本）などです。
リサーチカバレッジ
この報告書は、デバイス、ウェーハサイズ、最終用途アプリケーションおよび地域に基づいてシリコンカーバイド市場をセグメント化し、そのサイズを予測しています。また、市場成長に影響を与える要因、制約、機会、および課題についての包括的なレビューも提供されています。報告書は、市場の定量的側面に加え、定性的側面もカバーしています。
レポートを購入する理由：
このレポートは、市場のリーダーや新規参入者にシリコンカーバイド市場全体および関連セグメントの最も近い推定収益に関する情報を提供します。このレポートは、利害関係者が競争環境を理解し、市場での位置を強化し、適切な市場進出戦略を計画するためのさらなる洞察を得るのに役立ちます。また、このレポートは利害関係者が市場の脈動を理解するのを助け、主要な市場推進要因、制約、機会、及び課題に関する情報を提供します。
この報告書では、以下のポイントについての洞察を提供します。
シリコンカーバイド市場の成長に影響を与える主な要因（パワーエレクトロニクスに対する需要の増加、再生可能エネルギーシステムへの需要の急増、SiCデバイスの採用を促進するための取り組みや投資の増加）、制約（パワーエレクトロニクスのための代替技術の高い効率）、機会（SiC基板とエピタキシの品質に向けた進展）、および課題（SiCデバイスの材料欠陥、設計およびパッケージングの問題）についての分析です。
• 製品開発/イノベーション：シリコンカーバイド市場における今後の技術、研究開発活動、および新製品の発表に関する詳細な洞察。
市場開発：利益性の高い市場に関する包括的な情報 - 報告書はさまざまな地域における炭化ケイ素市場を分析しています。
• 市場の多様化：シリコンカーバイド市場の新製品、未開拓地域、最近の開発、および投資に関する詳細情報
• 競争評価：STMicroelectronics N.V.（スイス）、Infineon Technologies AG（ドイツ）、Semiconductor Components Industries, LLC（米国）、WOLFSPEED, INC.（米国）、およびROHM株式会社（日本）などの主要プレイヤーの市場シェア、成長戦略、製品提供についての詳細な評価です。

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目次

  • 1 イントロダクション 28

    • 1.1 調査の目的 28
    • 1.2 市場の定義 28
    • 1.3 調査範囲 29
      • 1.3.1 包含・除外事項 29
        • 1.3.1.1 企業：包含・除外事項 29
        • 1.3.1.2 デバイス：包含・除外事項 29
        • 1.3.1.3 ウェハーサイズ：包含・除外事項 29
        • 1.3.1.4 バーティカル：包含・除外事項 29
        • 1.3.1.5 地域：包含・除外事項 30
      • 1.3.2 対象市場 30
      • 1.3.3 対象地域 31
      • 1.3.4 対象年 31
    • 1.4 通貨 31
    • 1.5 対象の単位 31
    • 1.6 制約 32
    • 1.7 ステークホルダー 32
    • 1.8 変化のサマリー 32
    • 1.9 不況の影響 32

  • 2 調査手法 33

    • 2.1 リサーチデータ 33
      • 2.1.1 二次データ 34
        • 2.1.1.1 主要二次ソース 34
        • 2.1.1.2 二次情報の主要データ 35
      • 2.1.2 一次データ 35
        • 2.1.2.1 一次インタビュー参加者リスト 36
        • 2.1.2.2 一次ブレークダウン 36
        • 2.1.2.3 業界についての主な考察 36
        • 2.1.2.4 一次情報の主要データ 37
      • 2.1.3 一次調査・二次調査 38
    • 2.2 市場規模予測 39
      • 2.2.1 ボトムアップアプローチ 39
        • 2.2.1.1 ボトムアップ分析（需要側）による市場規模推計の考え方 39
      • 2.2.2 トップダウンアプローチ 40
        • 2.2.2.1 トップダウン分析による市場規模推計の考え方（供給側） 40
    • 2.3 要因分析 41
      • 2.3.1 供給サイド分析 41
    • 2.4 市場成長前提 42
    • 2.5 景気後退がSiC市場に与える影響を分析するために考慮されるパラメータ 43
    • 2.6 データのトライアンギュレーション 44
    • 2.7 調査の前提 45
    • 2.8 リスク評価 45

  • 3 エグゼクティブサマリー 46

  • 4 更なる考察 50

    • 4.1 SiC市場におけるプレーヤーの魅力的な機会 50
    • 4.2 SiC市場、分野別 51
    • 4.3 SiC市場、デバイス別 51
    • 4.4 SiC市場：ウェーハサイズ別 52
    • 4.5 アジア太平洋地域のSiC市場：産業別・国別（2024年 52

  • 5 市場概要 53

    • 5.1 イントロダクション 53
    • 5.2 市場ダイナミクス 53
      • 5.2.1 促進要因 54
        • 5.2.1.1 EVへのSiCデバイス搭載が拡大 54
        • 5.2.1.2 増加するパワーエレクトロニクスの需要 55
        • 5.2.1.3 増加する再生可能エネルギーシステムの需要 55
        • 5.2.1.4 SiCデバイスへの取り組みと投資の増加 56
      • 5.2.2 抑制要因 58
        • 5.2.2.1 パワーエレクトロニクスにおける代替技術の高い有効性 58
        • 5.2.2.2 SiCデバイスの高コスト 58
      • 5.2.3 市場機会 59
        • 5.2.3.1 通信業界におけるSiCデバイスの採用拡大 59
        • 5.2.3.2 SiC基板とエピタキシャル成長プロセスの継続的な品質向上 60
      • 5.2.4 課題 61
        • 5.2.4.1 SiCデバイスの材料欠陥と設計およびパッケージングの問題 61
    • 5.3 サプライチェーン分析 62
    • 5.4 エコシステム分析 64
    • 5.5 投資と資金調達のシナリオ 65
    • 5.6 顧客事業にインパクトのあるトレンド/ディスラプション 65
    • 5.7 技術分析 66
      • 5.7.1 キーテクノロジー 66
        • 5.7.1.1 第4世代SiC 66
        • 5.7.1.2 8インチSiCウェハー 66
      • 5.7.2 補完的テクノロジー 66
        • 5.7.2.1 SiCオンインシュレータ（SiCOI） 66
        • 5.7.2.2 SiC-on-GaN 67
      • 5.7.3 アディショナルテクノロジー 67
        • 5.7.3.1 窒化ガリウム(GaN) 67
        • 5.7.3.2 窒化インジウムガリウム（InGaN） 67
    • 5.8 価格分析 68
      • 5.8.1 主要プレーヤーが提供する製品の平均販売価格 68
      • 5.8.2 SiCデバイスのタイプ別平均販売価格動向 69
      • 5.8.3 SiCデバイスの地域別平均販売価格動向 69
    • 5.9 主なステークホルダーと購入基準 70
      • 5.9.1 購買プロセスにおける主要ステークホルダー 70
      • 5.9.2 購買基準 71
    • 5.10 ポーターのファイブフォース分析 72
      • 5.10.1 新規参入の脅威 73
      • 5.10.2 代替品の脅威 73
      • 5.10.3 サプライヤーの交渉力 73
      • 5.10.4 買い手の交渉力 73
      • 5.10.5 競合・競争状況の激しさ 73
    • 5.11 ケーススタディ分析 74
    • 5.12 取引分析・貿易分析 75
      • 5.12.1 輸入シナリオ 75
      • 5.12.2 輸出シナリオ 76
    • 5.13 特許分析 77
    • 5.14 規制の概観 80
      • 5.14.1 グローバルのスタンダード 80
      • 5.14.2 政府規制 80
        • 5.14.2.1 アジア太平洋 80
        • 5.14.2.2 北米 80
        • 5.14.2.3 ヨーロッパ 81
    • 5.15 主要会議とイベント、2024-2025年 82

  • 6 SiC市場、デバイス別 83

    • 6.1 イントロダクション 84
    • 6.2 SiCディスクリートデバイス 85
      • 6.2.1 EVと5Gインフラにおけるアプリケーションの増加が市場を牽引 85
      • 6.2.2 SiCダイオード 85
      • 6.2.3 SiC MOSFET 86
        • 6.2.3.1 電力スイッチング・トランジスタとして機能し、需要を高める能力 86
    • 6.3 SiCモジュール 90

  • 7 SiC市場：ウェーハサイズ別 94

    • 7.1 イントロダクション 95
    • 7.2 150mmまで 96
      • 7.2.1 高周波機器への普及が市場成長の原動力に 96
    • 7.3 ＞150mm以上 96

  • 8 SiCデバイスの結晶構造 97

    • 8.1 イントロダクション 97
    • 8.2 閃亜鉛鉱(3c-sic) 97
    • 8.3 ウルツ鉱(4h-sic) 98
    • 8.4 ウルツ鉱(6h-sic) 98
    • 8.5 菱形面体(15r-sic) 98

  • 9 SiC材料の種類 99

    • 9.1 イントロダクション 99
    • 9.2 グリーンSiC 99
    • 9.3 ブラックSiC 99

  • 10 SiC市場、分野別 100

    • 10.1 イントロダクション 101
    • 10.2 自動車 102
      • 10.2.1 高性能光半導体デバイスの需要拡大が需要を押し上げる 102
    • 10.3 エネルギー・電力 104
      • 10.3.1 再生可能エネルギー・システムの急速な普及が需要を加速 104
    • 10.4 産業 105
      • 10.4.1 ロボット分野での利用拡大が需要を押し上げる 105
    • 10.5 輸送・移動 106
    • 10.6 通信 108
      • 10.6.1 5Gワイヤレス通信の普及が市場を牽引 108
    • 10.7 その他 109

  • 11 SiC市場、地域別 110

    • 11.1 イントロダクション 111
    • 11.2 北米 112
      • 11.2.1 北米：リセッション時のインパクト 112
      • 11.2.2 米国 115
        • 11.2.2.1 EVと充電ステーションへの需要の高まりが市場を牽引 115
      • 11.2.3 カナダ 116
      • 11.2.4 メキシコ 117
    • 11.3 ヨーロッパ 118
      • 11.3.1 ヨーロッパ：リセッション時のインパクト 118
      • 11.3.2 英国 121
      • 11.3.3 ドイツ 122
      • 11.3.4 フランス 123
        • 11.3.4.1 市場を牽引する再生可能エネルギーシステムの導入急増 123
      • 11.3.5 その他のヨーロッパ 124
    • 11.4 アジア太平洋 125
      • 11.4.1 アジア太平洋：リセッション時のインパクト 125
      • 11.4.2 中国 128
        • 11.4.2.1 パワーエレクトロニクス産業の隆盛が市場成長を促進 128
      • 11.4.3 日本 129
      • 11.4.4 韓国 130
        • 11.4.4.1 コンシューマー・エレクトロニクスの需要拡大が採用を後押し 130
      • 11.4.5 その他のアジア太平洋 131
    • 11.5 その他地域 132
      • 11.5.1 その他地域：リセッション時のインパクト 132
      • 11.5.2 中東・アフリカ 134
        • 11.5.2.1 再生可能エネルギー・システムの採用拡大が市場を牽引 134
        • 11.5.2.2 GCC地域 134
          • 11.5.2.2.1 半導体産業への投資の増加が需要を押し上げる 134
        • 11.5.2.3 その他の中東・アフリカ 135
      • 11.5.3 南米 136
        • 11.5.3.1 拡大する通信産業が需要を押し上げる 136

  • 12 競合情勢 137

    • 12.1 概要 137
    • 12.2 主要プレイヤーの戦略 <num4>年～<num4>年 137
    • 12.3 MARKET SHARE ANALYSIS, 2023 139
    • 12.4 COMPANY VALUATION AND FINANCIAL METRICS 141
    • 12.5 BRAND/PRODUCT COMPARISON 142
    • 12.6 主要5社の収益分析、2019-2023年 143
    • 12.7 企業評価マトリックス：主要企業 <num4>年 144
      • 12.7.1 STARS 144
      • 12.7.2 EMERGING LEADERS 144
      • 12.7.3 PERVASIVE PLAYERS 144
      • 12.7.4 PARTICIPANTS 144
      • 12.7.5 企業フットプリント：主要企業 <num4>年 146
        • 12.7.5.1 Overall footprint 146
        • 12.7.5.2 Device footprint 147
        • 12.7.5.3 Wafersize footprint 148
        • 12.7.5.4 Application footprint 149
        • 12.7.5.5 Region footprint 150
    • 12.8 企業評価マトリックス：スタートアップ/中小企業 <num4>年 151
      • 12.8.1 PROGRESSIVE COMPANIES 151
      • 12.8.2 RESPONSIVE COMPANIES 151
      • 12.8.3 DYNAMIC COMPANIES 151
      • 12.8.4 STARTING BLOCKS 151
      • 12.8.5 競合ベンチマーキング：スタートアップ/中小企業 <num4>年 153
        • 12.8.5.1 主要新興企業/中小企業のリスト 153
      • 12.8.6 会社のフットプリントSTARTUPS/SMESフットプリント 154
        • 12.8.6.1 Device footprint 154
        • 12.8.6.2 Wafer size footprint 154
        • 12.8.6.3 Application footprint 155
        • 12.8.6.4 Region footprint 155
    • 12.9 競合他社のシナリオと動向 156
      • 12.9.1 製品展開 156
      • 12.9.2 ディール 161
      • 12.9.3 その他 169

  • 13 企業プロファイル 171

    • 13.1 イントロダクション 171
    • 13.2 主要企業 171
      • 13.2.1 STMICROELECTRONICS 171
      • 13.2.2 INFINEON TECHNOLOGIES AG 177
      • 13.2.3 SEMICONDUCTOR COMPONENTS INDUSTRIES, LLC 183
      • 13.2.4 WOLFSPEED, INC 189
      • 13.2.5 ROHM CO., LTD 194
      • 13.2.6 FUJI ELECTRIC CO., LTD 198
      • 13.2.7 TOSHIBA ELECTRONIC DEVICES & STORAGE CORPORATION 201
      • 13.2.8 MICROCHIP TECHNOLOGY INC 206
      • 13.2.9 MITSUBISHI ELECTRIC CORPORATION 210
      • 13.2.10 COHERENT CORP 214
    • 13.3 他の有力企業 217
      • 13.3.1 HITACHI POWER SEMICONDUCTOR DEVICE, LTD 217
      • 13.3.2 SEMIKRON DANFOSS 218
      • 13.3.3 QORVO, INC 219
      • 13.3.4 GENESIC SEMICONDUCTOR INC 220
      • 13.3.5 TT ELECTRONICS 221
      • 13.3.6 VISHAY INTERTECHNOLOGY, INC 222
      • 13.3.7 WEEN SEMICONDUCTORS 223
      • 13.3.8 SOLITRON DEVICES, INC 224
      • 13.3.9 SANAN IC 224
      • 13.3.10 BYD SEMICONDUCTOR 225
      • 13.3.11 LITTELFUSE, INC 226
      • 13.3.12 TYCO TIANRUN , INC 227
      • 13.3.13 NEXPERIA 228
      • 13.3.14 INVENTCHIP TECHNOLOGY CO., LTD 229
      • 13.3.15 DIODES INCORPORATED 230

  • 14 付録 231

    • 14.1 業界エキスパートの考察 231
    • 14.2 ディスカッションガイド 232
    • 14.3 ナレッジストア 235
    • 14.4 カスタマイズオプション 237
    • 14.5 関連レポート 237
    • 14.6 執筆者の詳細 238

※英文のレポートについての日本語表記のタイトルや紹介文などは、すべて生成AIや自動翻訳ソフトを使用して提供しております。それらはお客様の便宜のために提供するものであり、当社はその内容について責任を負いかねますので、何卒ご了承ください。適宜英語の原文をご参照ください。
“All Japanese titles, abstracts, and other descriptions of English-language reports were created using generative AI and/or machine translation. These are provided for your convenience only and may contain errors and inaccuracies. Please be sure to refer to the original English-language text. We disclaim all liability in relation to your reliance on such AI-generated and/or machine-translated content.”

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