全体要約
次世代型メモリ市場は、2023年の62億XX米ドルから2028年には177億XX米ドルに達すると予測され、年間成長率(CAGR)は23.2%となります。この成長は、スマートフォンやスマートウェアラブルデバイスでの次世代型メモリの採用や、企業向けのストレージアプリケーションでの技術の採用が進むことで促進されると考えられています。高帯域幅メモリ(HBM)セグメントは、特に成長が期待されており、HBMは3Dメモリ形式で、主にグラフィックカードや高性能コンピューティングアプリケーションに使用されます。
アジア太平洋地域は次世代型メモリ市場の主要なシェアを占めると予想され、中国、日本、韓国、インドなどのエレクトロニクス大国が含まれます。この地域には、サムスン、SKハイニックス、東芝など、次世代型メモリ市場の主要なプレーヤーが存在します。これにより、高性能な消費者向けエレクトロニクスデバイスでの次世代型メモリ技術の採用が加速することが期待されます。
アジア太平洋地域は次世代型メモリ市場の主要なシェアを占めると予想され、中国、日本、韓国、インドなどのエレクトロニクス大国が含まれます。この地域には、サムスン、SKハイニックス、東芝など、次世代型メモリ市場の主要なプレーヤーが存在します。これにより、高性能な消費者向けエレクトロニクスデバイスでの次世代型メモリ技術の採用が加速することが期待されます。
概要
次世代メモリ市場は、2023年には62億米ドルから成長し、2028年には177億米ドルに達すると予測されています。2023年から2028年までの間に、年平均成長率（CAGR）は23.2%になると期待されています。
スマートフォンやスマートウェアラブルでの次世代メモリの普及、ならびに企業向けストレージアプリケーションにおける次世代メモリ技術の採用増加が、次世代メモリ市場の成長を促進すると予想される要因です。
次世代メモリ市場のハイバンド幅メモリ（HBM）セグメントは、予測期間中に高成長を遂げる見込みです。
次世代メモリ市場のハイバンド幅メモリ（HBM）セグメントは、予測期間中に高いCAGRで成長する見込みです。
HBMは、TSV技術を使用して複数のDRAMメモリダイを積み重ねることによって作られた3Dメモリの一形態です。HBM技術では、メモリチップを互いに重ねるため、非常に広いデータバスを使用し、必要な性能レベルを達成するためにかなり遅いクロックスピードを使用します。このメモリは、主にグラフィックカードや高処理の計算アプリケーション、消費者向け加速プロセッサユニット（APU）、サーバー、スーパーコンピュータを対象としています。企業は、機能が強化された新しく高度なHBMメモリを開発しています。たとえば、2023年7月に、韓国のSAMSUNGは、高帯域幅メモリ（HBM）の生産能力を拡大するために1兆ウォン（約7億6600万米ドル）を投資することを発表しました。
「消費者向け電子機器のアプリケーションセグメントは、予測期間中に次世代メモリー市場の重要な成長を目撃するでしょう。」
消費者電子機器セグメントは、予測期間中に高いCAGRで成長します。消費者デバイスの採用は急速に増加しており、それに伴い対象アプリケーションのメモリストレージ消費も増加しています。非揮発性メモリ（NVM）が新たに市場に投入されており、これは消費者デバイスのメモリ容量を改善するためにDRAMを補完または交換するための潜在的な解決策として位置付けられています。最近の研究では、NVMをDRAMのスワップスペースとして使用することが提案されています。なぜなら、消費者デバイスにおいてDRAMを完全にNVMに置き換えることは、重大なシステム統合と設計上の制約を課すからです。次世代メモリ技術は、ウェアラブルデバイス、セットトップボックス、デジタルカメラ、タブレット、ハンドヘルドパーソナルコミュニケーションシステム、デスクトップPC、およびノートパソコンなど、消費者電子機器に広く使用されています。これは、高い性能能力を必要とする消費者電子機器の進化によるものです。これにより、消費者電子機器セクター全体で次世代メモリ市場の採用が増加するでしょう。
「アジア太平洋地域は、予測期間中に次世代メモリ市場の主要な市場シェアを保持すると期待されています。」アジア太平洋地域は、電子機器分野の主要国である中国、日本、韓国、インドを含んでいます。アジア太平洋地域は、主要な半導体及び電子機器アプリケーションを持つセクターの中心地であるため、半導体メモリ技術の最大の市場を保有しています。さらに、アジア太平洋地域は、コンシューマーエレクトロニクス、高度なICT技術、その他のハイエンド機械を提供する企業の最大の拠点の一つでもあり、これが新興技術の最大の採用者となる理由です。サムスン（韓国）、SKハイニックス（韓国）、東芝（日本）は、アジア太平洋地域のメモリ市場における主要プレーヤーであり、この地域の次世代メモリ市場における大手ステークホルダーでもあります。
次世代メモリ市場における主要な業界専門家との広範な一次インタビューが実施され、二次研究を通じて収集したさまざまなセグメントおよびサブセグメントの市場規模を特定し、確認しました。報告書における一次参加者の内訳は以下の通りです。
次世代メモリ市場における主要参加者のプロフィールの内訳:
• 会社タイプ別：Tier 1 – 55%、Tier 2 – 25%、Tier 3 – 20%
• 職位別：Cレベル – 10%、ディレクターレベル – 30%、その他 – 60%
地域別: 北米 – 40%、ヨーロッパ – 35%、アジア太平洋 – 15%、その他の地域 – 10%
この報告書は、次世代メモリ市場の主要プレイヤーをプロファイルし、それぞれの市場ランキング分析を行っています。本報告書でプロファイルされている著名なプレイヤーは、SAMSUNG（韓国）、KIOXIAホールディングス株式会社（日本）、Micron Technology, Inc.（米国）、富士通（日本）、SK Hynix Inc（韓国）、ハネウェル・インターナショナル（米国）、Winbond（台湾）、Microchip Technology Inc.（米国）、Nanya Technology（台湾）、およびEverspin Technologies（米国）です。
これに加えて、マクロニクスインターナショナル株式会社（マクロニクス）、キングストンテクノロジー（アメリカ）、インフィニオンテクノロジーズAG（ドイツ）、ROHM株式会社（日本）、ナンテロ（アメリカ）、クロスバー株式会社（アメリカ）、ヴァイキングテクノロジー（アメリカ）、およびアバランチテクノロジー（アメリカ）は、次世代メモリ市場におけるいくつかの新興企業です。
リサーチカバレッジ：このリサーチレポートは、次世代メモリ市場を技術、ウェハサイズ、アプリケーション、地域に基づいて分類しています。このレポートでは、次世代メモリ市場に関連する主要な推進要因、制約、課題、および機会を説明し、2028年までの予測を示しています。これに加えて、レポートには次世代メモリエコシステムに含まれるすべての企業のリーダーシップマッピングと分析も含まれています。
レポート購入の主なメリット このレポートは、市場のリーダーや新規参入者が、次世代メモリ市場全体及びサブセグメントの収益数値に関する最も近い推定を把握するのに役立ちます。このレポートは、利害関係者が競争環境を理解し、自社のポジショニングを向上させ、適切な市場進出戦略を計画するための洞察を得るのに役立ちます。また、レポートは市場の脈動を理解する手助けをし、市場の主要なドライバー、制約、課題、および機会に関する情報を提供します。
レポートは以下のポイントに関する洞察を提供します：
次世代メモリ市場の成長に影響を与える主要な要因（迅速なアクセスを提供し、最小限の電力を消費するメモリデバイスに対する需要の増加；エンタープライズストレージアプリケーション向け次世代メモリ技術の採用の増加；スマートフォンおよびスマートウェアでの次世代メモリの急速な採用；進化するデータおよび計算ニーズに対応するための自動車分野における次世代メモリソリューションの採用の増加）、制約（次世代メモリの高い製造コスト；次世代メモリに関連する互換性および相互運用性の問題）、機会（組込みシステムおよびIoTデバイスにおける次世代メモリ技術の採用の増加；メモリ集約型アプリケーション向けデータセンターでの高帯域幅メモリ（HBM）の採用の増加）、および課題（高密度不揮発性メモリに関連するスケーラビリティの問題；標準化された製造プロセスの欠如による高い設計コスト；高速度書き込み性能とエネルギー効率の達成）についての分析です。
• 製品開発/革新：次世代メモリ市場における今後の技術、研究開発活動、新製品およびサービスの投入に関する詳細な洞察。
市場開発: 有望な市場に関する包括的な情報 – レポートは多様な地域における次世代メモリ市場を分析しています。
• 市場の多様化：新製品やサービス、未開拓の地域、最近の動向、次世代メモリ市場への投資に関する詳細な情報です。
• 競争評価: 次世代メモリ市場における、サムスン（韓国）、キオクシアホールディングス株式会社（日本）、マイクロンテクノロジー株式会社（米国）、富士通（日本）、SK hynix（韓国）などの主要プレーヤーの市場シェア、成長戦略、サービス提供の詳細な評価です。
※以下の目次にて、具体的なレポートの構成をご覧頂けます。ご購入、無料サンプルご請求、その他お問い合わせは、ページ上のボタンよりお進みください。
スマートフォンやスマートウェアラブルでの次世代メモリの普及、ならびに企業向けストレージアプリケーションにおける次世代メモリ技術の採用増加が、次世代メモリ市場の成長を促進すると予想される要因です。
次世代メモリ市場のハイバンド幅メモリ（HBM）セグメントは、予測期間中に高成長を遂げる見込みです。
次世代メモリ市場のハイバンド幅メモリ（HBM）セグメントは、予測期間中に高いCAGRで成長する見込みです。
HBMは、TSV技術を使用して複数のDRAMメモリダイを積み重ねることによって作られた3Dメモリの一形態です。HBM技術では、メモリチップを互いに重ねるため、非常に広いデータバスを使用し、必要な性能レベルを達成するためにかなり遅いクロックスピードを使用します。このメモリは、主にグラフィックカードや高処理の計算アプリケーション、消費者向け加速プロセッサユニット（APU）、サーバー、スーパーコンピュータを対象としています。企業は、機能が強化された新しく高度なHBMメモリを開発しています。たとえば、2023年7月に、韓国のSAMSUNGは、高帯域幅メモリ（HBM）の生産能力を拡大するために1兆ウォン（約7億6600万米ドル）を投資することを発表しました。
「消費者向け電子機器のアプリケーションセグメントは、予測期間中に次世代メモリー市場の重要な成長を目撃するでしょう。」
消費者電子機器セグメントは、予測期間中に高いCAGRで成長します。消費者デバイスの採用は急速に増加しており、それに伴い対象アプリケーションのメモリストレージ消費も増加しています。非揮発性メモリ（NVM）が新たに市場に投入されており、これは消費者デバイスのメモリ容量を改善するためにDRAMを補完または交換するための潜在的な解決策として位置付けられています。最近の研究では、NVMをDRAMのスワップスペースとして使用することが提案されています。なぜなら、消費者デバイスにおいてDRAMを完全にNVMに置き換えることは、重大なシステム統合と設計上の制約を課すからです。次世代メモリ技術は、ウェアラブルデバイス、セットトップボックス、デジタルカメラ、タブレット、ハンドヘルドパーソナルコミュニケーションシステム、デスクトップPC、およびノートパソコンなど、消費者電子機器に広く使用されています。これは、高い性能能力を必要とする消費者電子機器の進化によるものです。これにより、消費者電子機器セクター全体で次世代メモリ市場の採用が増加するでしょう。
「アジア太平洋地域は、予測期間中に次世代メモリ市場の主要な市場シェアを保持すると期待されています。」アジア太平洋地域は、電子機器分野の主要国である中国、日本、韓国、インドを含んでいます。アジア太平洋地域は、主要な半導体及び電子機器アプリケーションを持つセクターの中心地であるため、半導体メモリ技術の最大の市場を保有しています。さらに、アジア太平洋地域は、コンシューマーエレクトロニクス、高度なICT技術、その他のハイエンド機械を提供する企業の最大の拠点の一つでもあり、これが新興技術の最大の採用者となる理由です。サムスン（韓国）、SKハイニックス（韓国）、東芝（日本）は、アジア太平洋地域のメモリ市場における主要プレーヤーであり、この地域の次世代メモリ市場における大手ステークホルダーでもあります。
次世代メモリ市場における主要な業界専門家との広範な一次インタビューが実施され、二次研究を通じて収集したさまざまなセグメントおよびサブセグメントの市場規模を特定し、確認しました。報告書における一次参加者の内訳は以下の通りです。
次世代メモリ市場における主要参加者のプロフィールの内訳:
• 会社タイプ別：Tier 1 – 55%、Tier 2 – 25%、Tier 3 – 20%
• 職位別：Cレベル – 10%、ディレクターレベル – 30%、その他 – 60%
地域別: 北米 – 40%、ヨーロッパ – 35%、アジア太平洋 – 15%、その他の地域 – 10%
この報告書は、次世代メモリ市場の主要プレイヤーをプロファイルし、それぞれの市場ランキング分析を行っています。本報告書でプロファイルされている著名なプレイヤーは、SAMSUNG（韓国）、KIOXIAホールディングス株式会社（日本）、Micron Technology, Inc.（米国）、富士通（日本）、SK Hynix Inc（韓国）、ハネウェル・インターナショナル（米国）、Winbond（台湾）、Microchip Technology Inc.（米国）、Nanya Technology（台湾）、およびEverspin Technologies（米国）です。
これに加えて、マクロニクスインターナショナル株式会社（マクロニクス）、キングストンテクノロジー（アメリカ）、インフィニオンテクノロジーズAG（ドイツ）、ROHM株式会社（日本）、ナンテロ（アメリカ）、クロスバー株式会社（アメリカ）、ヴァイキングテクノロジー（アメリカ）、およびアバランチテクノロジー（アメリカ）は、次世代メモリ市場におけるいくつかの新興企業です。
リサーチカバレッジ：このリサーチレポートは、次世代メモリ市場を技術、ウェハサイズ、アプリケーション、地域に基づいて分類しています。このレポートでは、次世代メモリ市場に関連する主要な推進要因、制約、課題、および機会を説明し、2028年までの予測を示しています。これに加えて、レポートには次世代メモリエコシステムに含まれるすべての企業のリーダーシップマッピングと分析も含まれています。
レポート購入の主なメリット このレポートは、市場のリーダーや新規参入者が、次世代メモリ市場全体及びサブセグメントの収益数値に関する最も近い推定を把握するのに役立ちます。このレポートは、利害関係者が競争環境を理解し、自社のポジショニングを向上させ、適切な市場進出戦略を計画するための洞察を得るのに役立ちます。また、レポートは市場の脈動を理解する手助けをし、市場の主要なドライバー、制約、課題、および機会に関する情報を提供します。
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次世代メモリ市場の成長に影響を与える主要な要因（迅速なアクセスを提供し、最小限の電力を消費するメモリデバイスに対する需要の増加；エンタープライズストレージアプリケーション向け次世代メモリ技術の採用の増加；スマートフォンおよびスマートウェアでの次世代メモリの急速な採用；進化するデータおよび計算ニーズに対応するための自動車分野における次世代メモリソリューションの採用の増加）、制約（次世代メモリの高い製造コスト；次世代メモリに関連する互換性および相互運用性の問題）、機会（組込みシステムおよびIoTデバイスにおける次世代メモリ技術の採用の増加；メモリ集約型アプリケーション向けデータセンターでの高帯域幅メモリ（HBM）の採用の増加）、および課題（高密度不揮発性メモリに関連するスケーラビリティの問題；標準化された製造プロセスの欠如による高い設計コスト；高速度書き込み性能とエネルギー効率の達成）についての分析です。
• 製品開発/革新：次世代メモリ市場における今後の技術、研究開発活動、新製品およびサービスの投入に関する詳細な洞察。
市場開発: 有望な市場に関する包括的な情報 – レポートは多様な地域における次世代メモリ市場を分析しています。
• 市場の多様化：新製品やサービス、未開拓の地域、最近の動向、次世代メモリ市場への投資に関する詳細な情報です。
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目次
1 イントロダクション 35
1.1 調査の目的 35
1.2 市場の定義 35
1.3 調査範囲 36
1.3.1 対象市場 36
1.4 包含・除外事項 36
1.4.1 地域の範囲 37
1.5 対象年 37
1.6 通貨 38
1.7 制約 38
1.8 ステークホルダー 38
1.9 変化のサマリー 39
1.10 不況分析 40
2 調査手法 41
2.1 リサーチデータ 41
2.1.1 二次データ 42
- 2.1.1.1 主要二次ソース 43
- 2.1.1.2 二次情報の主要データ 43
2.1.2 一次データ 43
- 2.1.2.1 業界エキスパートとの一次インタビュー 44
- 2.1.2.2 一次ブレークダウン 44
- 2.1.2.3 一次情報の主要データ 45
2.1.3 一次調査・二次調査 46
- 2.1.3.1 業界についての主な考察 46
2.2 市場規模予測 47
2.2.1 ボトムアップアプローチ 48
- 2.2.1.1 ボトムアップ分析（需要サイド）による市場規模導出のアプローチ 48
2.2.2 トップダウンアプローチ 48
- 2.2.2.1 トップダウン分析（供給側）による市場規模導出のアプローチ 49
- 2.2.2.2 供給サイド分析 49
2.3 市場の内訳とデータのトライアンギュレーション 51
2.4 調査の前提 52
2.5 次世代型メモリ市場における景気後退の影響の理解ために考慮されるパラメータ 52
2.6 リスク評価 53
2.7 調査上の制約 54
3 エグゼクティブサマリー 55
3.1 成長率の前提 55
4 更なる考察 59
4.1 次世代型メモリ市場におけるプレーヤーの魅力的な機会 59
4.2 次世代型メモリの市場、技術別 59
4.3 次世代型メモリ市場、ウェハーサイズおよび用途別 60
4.4 次世代型メモリの市場、地域別 60
4.5 次世代型メモリの市場、国別 61
5 市場概要 62
5.1 イントロダクション 62
5.2 市場力学 63
5.2.1 促進要因 63
5.2.2 抑制要因 67
- 5.2.2.1 次世代型メモリの高い製造コスト 67
- 5.2.2.2 次世代型メモリに関連する互換性と相互運用性の問題 67
5.2.3 市場機会 68
5.2.4 課題 70
- 5.2.4.1 高密度不揮発性メモリに伴うスケーラビリティの問題 70
- 5.2.4.2 標準化された製造工程がないため、設計コストが高くなる 70
- 5.2.4.3 高速書き込み性能とエネルギー効率を実現 70
5.3 バリューチェーン分析 71
5.3.1 次世代型メモリのバリューチェーン分析 72
5.3.2 磁気抵抗ランダムアクセスメモリ（MRAM）のバリューチェーン分析 73
5.4 エコシステムマッピング 74
5.5 価格分析 76
5.6 顧客ビジネスに影響を与えるトレンドと混乱 79
5.7 技術分析 79
5.7.1 キーテクノロジー 79
- 5.7.1.1 導電性ブリッジ・ラム（cbram） 79
- 5.7.1.2 酸化物系ReRAM (OxRAM) 80
- 5.7.1.3 原子スイッチReRAM 80
- 5.7.1.4 HfO2ベースのReRAM 80
5.7.2 アディショナルテクノロジー 80
- 5.7.2.1 垂直磁気異方性（PMA） 80
- 5.7.2.2 MLおよびAIベースのメモリー管理 81
- 5.7.2.3 3Dスタッキングとパッケージング技術 81
5.8 ポーターのファイブフォース分析 81
5.8.1 競合・競争状況の激しさ 82
5.8.2 サプライヤーの交渉力 82
5.8.3 買い手の交渉力 83
5.8.4 代替品の脅威 83
5.8.5 新規参入の脅威 83
5.9 主なステークホルダーと購入基準 83
5.9.1 購買基準 84
5.10 ケーススタディ分析 85
5.11 取引分析・貿易分析 86
5.11.1 輸入シナリオ 86
- 5.11.1.1 メモリなど電子集積回路の輸入シナリオ 86
5.11.2 輸出シナリオ 87
- 5.11.2.1 メモリーなど電子集積回路の輸出シナリオ 87
5.12 タリフ分析 88
5.13 特許分析 89
5.14 主要会議とイベント、2023-2024年 92
5.15 規格と規制の状況 94
5.15.1 規制当局、政府機関、その他組織 94
5.15.2 規制 97
- 5.15.2.1 米国規制 97
- 5.15.2.1.1 カリフォルニア州消費者プライバシー法 97
- 5.15.2.1.2 てんねんほしょうぼうこうほう 97
- 5.15.2.2 EUレギュレーション 97
- 5.15.2.2.1 GDPR（一般データ保護規則） 97
- 5.15.2.1 米国規制 97
5.15.3 規格 98
- 5.15.3.1 岑 98
- 5.15.3.2 ISO/IEC JTC 1 98
- 5.15.3.2.1 ISO/IEC JTC 1/sc 31 98
- 5.15.3.2.2 ISO/IEC JTC 1/sc 27 98
- 5.15.3.3 欧州電気通信標準化機構(ETSI) 98
- 5.15.3.4 米国電気電子技術者標準化協会（IEEE） 98
6 次世代型メモリの市場、技術別 99
6.1 イントロダクション 100
6.2 不揮発性メモリ 101
6.2.1 磁気抵抗ランダムアクセスメモリー（MRAM） 103
- 6.2.1.1 スピン転移トルク磁気ランダムアクセスメモリ（STT-MRAM） 103
- 6.2.1.2 スピン軌道トルク磁気ランダムアクセスメモリー（SOT-MRAM） 104
- 6.2.1.2.1 市場を牽引するSOT-MRAMの高速スイッチングと高い拡張性 104
- 6.2.1.3 トグルモードMRAM 104
6.2.2 強誘電体ラム（フレーム） 106
- 6.2.2.1 フラッシュ・メモリーよりもFRAMへの嗜好の高まりがセグメントを牽引 106
6.2.3 抵抗ランダムアクセスメモリ（reram）/導電性ブリッジングラム（cbram） 108
6.2.4 3Dエクスポイント 111
6.2.5 ナノ・ラム（nram） 112
6.2.6 その他 113
6.3 揮発性メモリー 115
6.3.1 ハイブリッドメモリキューブ（HMC） 117
6.3.2 広帯域メモリ（hbm） 118
7 次世代型メモリの市場、用途別 120
7.1 イントロダクション 121
7.2 コンシューマーエレクトロニクス 125
7.3 企業ストレージ 128
7.4 自動車・輸送 131
7.5 軍事・航空宇宙 133
7.6 産業 136
7.7 通信 138
7.7.1 5Gの到来が次世代型メモリ技術の需要を生む 138
- 7.7.1.1 使用例サイバーセキュリティとネットワーキング 139
- 7.7.1.2 使用例ネットワークセキュリティ 139
7.8 エネルギー・電力 141
7.9 ヘルスケア 144
7.10 農業 147
7.11 リテール 149
7.11.1 Eコマースの出現が次世代型メモリの需要を牽引 149
- 7.11.1.1 使用例在庫管理 149
- 7.11.1.2 使用例インタラクティブキオスクとデジタルサイネージ 150
8 次世代型メモリの市場、ウェハーサイズ別 152
8.1 イントロダクション 153
8.1.1 200 mm 155
- 8.1.1.1 電子製品に広く使用される200mmウェハー 155
8.1.2 300mm 155
- 8.1.2.1 次世代型メモリチップの大半は300mmウェーハで製造 155
8.2 不揮発性メモリの市場、ウェハーサイズ別 155
8.3 揮発性メモリ市場：ウェハサイズ別 158
9 次世代型メモリの市場、地域別 160
9.1 イントロダクション 161
9.2 北米 164
9.2.1 北米：リセッション時のインパクト 164
9.2.2 米国 168
- 9.2.2.1 市場成長を支える多数のデータセンターの存在 168
9.2.3 カナダ 169
- 9.2.3.1 通信業界の需要が市場を牽引 169
9.2.4 メキシコ 169
- 9.2.4.1 市場成長を後押しする半導体生産能力の向上に注力 169
9.3 ヨーロッパ 170
9.3.1 ヨーロッパ：リセッション時のインパクト 170
9.3.2 ドイツ 175
- 9.3.2.1 自動車業界の需要が市場成長を加速 175
9.3.3 英国 176
- 9.3.3.1 データセンター数の増加が市場を牽引 176
9.3.4 フランス 177
- 9.3.4.1 エンタープライズ・ストレージ分野の高い需要が市場成長を促進 177
9.3.5 その他ヨーロッパ 178
9.4 アジア太平洋 178
9.4.1 アジア太平洋：リセッション時のインパクト 178
9.4.2 中国 182
9.4.3 日本 183
9.4.4 韓国 184
- 9.4.4.1 確立された家電産業が市場成長を促進 184
9.4.5 インド 184
- 9.4.5.1 半導体の国内生産に注力し、市場成長を拡大 184
9.4.6 その他アジア太平洋 185
9.5 その他の地域 186
9.5.1 その他地域：リセッション時のインパクト 187
9.5.2 南米 188
- 9.5.2.1 データセンターの急増が次世代型メモリの需要を生む 188
9.5.3 中東・アフリカ 189
10 競合情勢 190
10.1 イントロダクション 190
10.2 主要プレイヤーの戦略 190
10.3 収益分析 192
10.4 MARKET SHARE ANALYSIS, 2022 192
10.5 主要企業の評価マトリクス（2022年 195
10.5.1 STARS 195
10.5.2 EMERGING LEADERS 195
10.5.3 PERVASIVE PLAYERS 195
10.5.4 PARTICIPANTS 195
10.6 EVALUATION MATRIX FOR SMALL AND MEDIUM-SIZED ENTERPRISES (SMES), 2022 197
10.6.1 PROGRESSIVE COMPANIES 197
10.6.2 RESPONSIVE COMPANIES 197
10.6.3 DYNAMIC COMPANIES 197
10.6.4 STARTING BLOCKS 197
10.6.5 競合ベンチマーキング 199
10.7 競合他社のシナリオと動向 205
10.7.1 製品展開 205
10.7.2 ディール 210
10.7.3 その他 212
11 企業プロファイル 214
11.1 主要企業 214
11.1.1 SAMSUNG 214
11.1.2 KIOXIA HOLDINGS CORPORATION 220
11.1.3 MICRON TECHNOLOGY, INC 224
11.1.4 SK HYNIX INC 230
11.1.5 FUJITSU 234
11.1.6 HONEYWELL INTERNATIONAL INC 238
11.1.7 MICROCHIP TECHNOLOGY INC 240
11.1.8 WINBOND 244
11.1.9 NANYA TECHNOLOGY 248
11.1.10 EVERSPIN TECHNOLOGIES 250
11.2 他の有力企業 254
11.2.1 MACRONIX INTERNATIONAL CO., LTD 254
11.2.2 KINGSTON TECHNOLOGY 255
11.2.3 INFINEON TECHNOLOGIES AG 256
11.2.4 ROHM CO., LTD 256
11.2.5 RENESAS ELECTRONICS CORPORATION 257
11.2.6 NANTERO, INC 258
11.2.7 CROSSBAR, INC 259
11.2.8 VIKING TECHNOLOGY 259
11.2.9 NVMDURANCE 260
11.2.10 AVALANCHE TECHNOLOGY 260
11.2.11 SKYHIGH MEMORY LIMITED 261
11.2.12 ATP ELECTRONICS, INC 261
11.2.13 RAMBUS 262
11.2.14 4DS MEMORY 263
11.2.15 INTEL CORPORATION 263
12 付録 265
12.1 ディスカッションガイド 265
12.2 カスタマイズオプション 269
12.3 関連レポート 269
12.4 執筆者の詳細 270
※英文のレポートについての日本語表記のタイトルや紹介文などは、すべて生成AIや自動翻訳ソフトを使用して提供しております。それらはお客様の便宜のために提供するものであり、当社はその内容について責任を負いかねますので、何卒ご了承ください。適宜英語の原文をご参照ください。 “All Japanese titles, abstracts, and other descriptions of English-language reports were created using generative AI and/or machine translation. These are provided for your convenience only and may contain errors and inaccuracies. Please be sure to refer to the original English-language text. We disclaim all liability in relation to your reliance on such AI-generated and/or machine-translated content.”
